(2)g-C3N4的热重分析显示其在600℃时依旧具有非易失性；620℃时会损失重量，这说明g-C3N4发生了热分解汽化；680℃时，g-C3N4全部分解，如图1。3。

图1。3 g-C3N4的热重曲线

Fig。1。3 Thermal weight curve of g-C3N4

(3)g-C3N4具有稳定的化学稳定性。例如：如果用丙酮或者乙醇处理g-C3N4，三十天后我们发现g-C3N4的性质结构均没有发生改变。如果把g-C3N4与熔融的碱金属接触，可以得到g-C3N4的水解结构。文献综述

    (4)g-C3N4是一种半导体材料，故而能够显示出半导体的吸收性能。例如：如果我们用光照射其表面，将会发现其最强吸收波长在420nm处，所以在制备g-C3N4时要考量其吸收波长因素。另外，wang等人通过DFT计算得到了g-C3N4的带隙结构，见图1。4。

图1。4类石墨结构氮化碳的电子结构

Fig。1。4 Electronic structure of Graphite like carbon nitride

(5)因为g-C3N4的晶体结构对称性较差，所以其非线性光学系数很大，我们可以把g-C3N4作为一种性能优异的非线性光学材料。实验研究表明：氢化后的碳氮薄膜的光学带隙较宽。我们发现对于制得的含有很高sp3-C含量的碳氮薄膜，其光学带隙更是达到3。8eV，所以我们认为相比较于引入N、C的两种不同结合态sp2/sp3的比值对碳氮薄膜的光学带隙影响更大。

1。2。2。4 g-C3N4的制备

目前国内外合成C3N4常用的方法有：

①高温高压合成[7]

从热力学和动力学的角度来说，高压合成氮化碳的原因在于N2具有三维链C3N4的氮化碳分子（具有较大的分子体积），理论计算认为α-C3N4在68GPa时转化为立方C3N4，类石墨C3N4则在12GPa转化为立方C3N4。如果温度太高，氮会以N2的形式逸出，那么之后产物中的N含量都较低。

②溶剂热合成[8]

溶剂热合成法具有以下特点：(l)溶剂中温度变得相对温和，N不易流失；(2)反应更容易发生在固液相界面或者被溶剂化了的物质表面。因为三聚氰胺具有C3N4骨架，所以很适合做反应原料。最先采用这种办法制取碳氮化合物的是MontigaudH等人，但是其结晶性较差并且不稳定，MontigaudH等认为材料中含有太多的氢原子是导致其结晶性较差的原因。之后研究结果也都证实了合成类石墨相且碳氮比接近理论值。另外，其它含三嗪环(C3N4)及(C3N4)的有机物，如CCl4和NH4Cl[9]也被用作反应原料来自~优尔、论文|网www.youerw.com +QQ752018766-。

③热解有机物

热解有机物是用前驱体自身的缩聚过程来制备g-C3N4简便的方法。三聚氰胺(C3N6H6)因为其完美的脱氨产物和Teter等人预言的石墨相C3N4在结构上一致，因此最先被考虑用做反应原料。在具有液体特性的前驱体中加入纳米尺寸的物质作模板，可以得到各种纳米结构，如纳米小球[10]、介孔材料[11,13]、微孔材料[14]等。Thomas等通过差示扫描量热法(DSC)研究了缩聚前驱体分子的反应过程