1。4。4电学性能 6

1。5影响g-C3N4光催化活性的因素 6

1。5。1比表面积的影响 7

1。5。2贵金属沉积 7

1。5。3金属掺杂的影响 7

1。5。4非金属掺杂的影响 8

1。6本文研究内容及研究意义 8

第二章 实验与测试 9

2。1实验材料 9

2。2 实验仪器与设备 9

2。3 试样制备 10

2。4 g-C3N4/TiO2复合涂层的电化学测试 11

2。5 g-C3N4/TiO2复合涂层的扫描电镜测试 11

2。6 g-C3N4/TiO2复合涂层的接触角测试 11

2。7 g-C3N4/TiO2复合涂层的XRD测试 11

第三章 实验数据分析 12

3。1 不同煅烧时间对g-C3N4/TiO2复合涂层的耐蚀性的影响 12

3。1。1 不同煅烧时间的g-C3N4/TiO2复合涂层极化曲线 12

3。1。2不同煅烧时间的g-C3N4/TiO2复合涂层交流阻抗曲线 13

3。1。3g-C3N4/TiO2复合涂层的极化曲线开关灯对比 14

3。1。4g-C3N4/TiO复合涂层的交流阻抗曲线开关灯对比 15

3。2不同煅烧温度对g-C3N4/TiO2复合涂层的耐蚀性的影响 17

3。2。1不同煅烧温度的g-C3N4/TiO2复合涂层极化曲线 17

3。2。2不同煅烧温度的g-C3N4/TiO2复合涂层的交流阻抗曲线 18

3。2。3 g-C3N4/TiO2复合涂层的极化曲线开关灯对比图 20

3。2。4 g-C3N4/TiO2复合涂层的交流阻抗曲线开关灯对比图 21

3。3不同稀释剂对g-C3N4/TiO2复合涂层的耐蚀性的影响 22

3。3。1不同稀释剂的g-C3N4/TiO2复合涂层极化曲线 22

3。3。2不同稀释剂g-C3N4/TiO2复合涂层交流阻抗曲线 23

3。3。3  g-C3N4/TiO2复合涂层的极化曲线开关灯 24

3。3。4  g-C3N4/TiO2复合涂层的交流阻抗曲线开关灯 25

3。4复合涂层的扫描电镜测试 27

3。4。1 C3N4/TiO2、C3N4粉末的扫描电镜图 27

3。4。2g-C3N4/TiO2复合涂层的扫描电镜图 28

3。5g-C3N4/TiO2复合涂层接触角测试 28

3。6 g-C3N4/TiO2复合涂层XRD测试 30

结论 31

致谢 32

参考文献 33

第一章 绪论

1。1研究背景

近日，巴西科研人员发现了一种含有Ti、Nb、TaGa等元素的氮氧化物，资料显示其有良好的光催化产氢性能，经检验正是这些元素促进氮氧化物的光催化性能，所以这也引发了其他的国家的科研人员纷纷投入到这一领域的研究中。目前对于光催化剂的研究主要集中在二氧化钛，因为TiO2相对于其半导体在各方面的性能上均占优势，但TiO2本身的带系宽度比较宽（3。2e V)，所以只能在紫外光的照射下催化制造氢气。然而，紫外光仅占太阳光谱中很小一部分且它的光催化效率不高，若是要用仪器来投射紫外光线又会提高成本。当然，对半导体的研究肯定也会衍射到其他物质，主要包括氧化锌、硫酸镉、三氧化钨、二氧化硅、SnO2、Fe2O3等[1]，但这些催化剂各自都有自己的短板，所以目前科研人员还是没能找到完美的半导体材料。论文网