- 上一篇：功能基转化法制备阴离子交换树脂研究
- 下一篇：碳化硅网眼陶瓷增强铝基复合材料研究
（4.2）
在一般情况下，R和 是波长的函数，如果检测器的响应是线性的，那么它们与样品温度是无关的。辐射计测量 ，然后根据方程（4.2），利用R和 来计算得到 。因此，实验中直接计算发射率需要一个校准过程，以确定仪器的响应函数R和辐射补偿 。可使用一种已知的辐射源（通常是黑体）来计算R和 ，辐射计所检测的黑体辐射（ ）可以写成
（4.3）
其中L是由黑体温度条件下的普朗克方程得出来的。因此，可以通过测量在不同温度下的黑体辐射（ ）来进行校准。响应函数和辐射补偿可以通过使用下列公式确定：
由方程（4.1）和（4.2）可得 （4.6）
图4.1显示了黑体在每个温度的法向的光谱辐射，图4.2（a）反映了系统在ΔT=50℃，100℃，150℃和200℃获得的响应函数，很显然，响应函数没有表现出明显的温度依赖性。图4.2（b）反映的是辐射补偿，辐射补偿为负值意着这是一个射出辐射。在高温下测量中等或较高发射率的样品时，对于获得的发射率的值，其辐射补偿是没有意义的。然而对于低温测量或者样品发射率很低的情况，精确的得到辐射补偿对于获得可靠的发射率值来说就是至关重要的 。
黑体的发射率在图4.3中相当接近于一，在考虑了温度测量的不确定性，该光谱仪在温度范围内有较好的线性关系。
图4.1 不同温度下标准黑体的辐射测量值
图4.2 不同温度区间的响应函数（a）与辐射补偿（b）
图4.3 T=299.6℃时，黑体的发射率
4.2 样品及基板的发射率
仪器的校准得到了仪器的响应函数和辐射补偿，通过实验数据得到样品的表观发射率和两基板的发射率（如图4.4），再通过第二章所提及的理论方法求出氧化铝样品的发射率。
图4.4 不同温度下（设定温度为T=100℃，200℃，300℃）样品的表观发射率和基板的发射率
然而根据实验所得到的两基板的发射率和样品的表观发射率，在理论分析计算样品的发射率时，有一部分波长下的发射率无法得到。在不考虑多次反射时，有一部分波长下镀银基板加样品的表观发射率 比镀炭黑基板加样品的表观发射率 大很多，导致方程（10）中 无解，从而样品发射率 也无法得到。（如图4.5中蓝色曲线所示）。