菜单
  
    摘要纳米氧化锆作为宽带隙材料,其禁带宽度为5eV,具有分立的电子能级,尺寸及组分依赖的能级间距,由于其优异的可调控的光学性能在生物荧光标记、电致发光、高效光电转化器件中具有潜在的应用。然而,半导体纳米晶的尺寸较小,稳定性差,影响纳米晶之间的电荷传输,导致半导体纳米晶体系具有极低电导率和光电导率,限制了它们在光电方面应用。本课题结合纳米晶的光电转换能力和石墨烯优异的导电能力,制备半导体纳米晶-石墨烯复合材料光电探测器,所制备的氧化锆纳米晶在波长为270nm左右的有吸收峰,其光致发光峰随着激发波长增加发生红移,表明所制备的氧化锆纳米晶中有不同结构的发光中心,在石墨烯片上蒸镀叉指电极,再旋涂氧化锆纳米晶制成了复合结构的紫外光探测器,研究了其紫外光响应特性,结果表明,产物对240,260nm处的紫外光具有一定相应,石墨烯的存在能够提高光生载流子从纳米晶到石墨烯上转移能力,有助于光电特性的改善。 33542
     关键词   氧化锆   石墨烯  半导体  紫外探测器
    毕业论文设计说明书外文摘要
    Title   Zircon graphene electrode / oxide semiconductor complex And Performance                                            
    Abstract
    Zirconia as a broadband-based material, which the band gap is 5eV fluctuations. The band gap can be obtained according to the preparation method of varying factors such as material. But by the wavelength of the excitation light which is maintained at 270nm fluctuations. Demonstrated its absorption in the ultraviolet range. However, a majority of the oxide as oxide criticized. Its conductivity is not good. By exploring the experiment, we can doping, heat treatment, etc. can be treated zirconia increase its conductivity, making it ideal semiconductor material. Thus, making it a relatively good semiconductor material Ultraviolet Detectors. Zirconia at a wavelength of about 270nm spectrum has a more obvious absorption peak. By vacuum deposition to silicon as the substrate, together with a layer of graphene to increase its electrical conductivity of the electrode material in view of its conductivity priority issue with the gold, cook interdigital electrodes. The response of the test electrode preparation obtained in this regard has been verified. Zirconium oxide in the range of UV ultraviolet detector has a natural advantage, no need to filter as traditional as GaAs, significant cost savings and its procedures.
    Keywords  Zirconia   Graphene   Ultraviolet Detectors  Semiconductor
    目   次
    1    引言 1
    1.1制备方法2
    1.2衬底选择3
    1.3电极材料6
    1.4仪器设备8
    2  实验 9
    2.1氧化锆的制备10
    2.2硅片的前处理10
    2.3石墨烯的转移12
    3   蒸镀电极13
    3.1蒸镀实验操作15
    3.2配置氧化锆丙酮溶液16
    4样品测试结果与分析17
    4.1紫外吸收光谱18
    4.2表征XRD19
    4.3透射电镜21
    4.4光响应度测试22
    结论23
    致谢24
    参考文献25
    1    引言
    由于紫外探测器在军用和民用方面都比较广泛,需求带动生产力的发展,由此,紫外探测器的材料受到了大家的追捧。其最基本原理就是物质受到一定波长的光照射,从而产生光电子的过程。更深一层意思就是电子能级跃迁。随着半导体的热潮,越来越多的半导体材料得到发展,从最初的单晶半导体,到后来的掺杂半导体,针对各种用途与作用,我们更多的针对性开发材料,就本课题来说,紫外探测器的器件材料是我们研究的重点。最初的紫外探测器一代元素半导体材料Si以及后来开发的第二代化合物半导体GaAs等材料[1],虽然他方面都具有很优秀的潜质,但是由于具有禁带宽度小、器件长波截止波长大、工作温度受到限制等特点而使得器件的特性及使用存在很大局限性,不能很好地满足目前军事和民用系统的要求。加之作为紫外探测器的材料,还需要支出昂贵的滤光过程,使得成本变得高了很多,颇有得不偿失的意。
  1. 上一篇:BNT-BKT无铅压电陶瓷的制备与表征
  2. 下一篇:PVA水凝胶关节软骨修复材料的改性及力学性能的研究
  1. 旋转电弧窄间隙MAG焊声音传感

  2. 摇动电弧窄间隙GMAW焊熔池动力学特征研究

  3. CCS-B级船用钢大厚板窄间隙...

  4. ANSYS半导体激光器模块散热特性影响因素分析

  5. 超薄二维半导体PtX2X=Chal...

  6. 硫化物二维半导体阻变存储器设计

  7. 多元金属/非金属掺杂的半...

  8. 上市公司股权结构对经营绩效的影响研究

  9. 现代简约美式风格在室内家装中的运用

  10. NFC协议物理层的软件实现+文献综述

  11. C++最短路径算法研究和程序设计

  12. 浅析中国古代宗法制度

  13. g-C3N4光催化剂的制备和光催化性能研究

  14. 江苏省某高中学生体质现状的调查研究

  15. 中国传统元素在游戏角色...

  16. 巴金《激流三部曲》高觉新的悲剧命运

  17. 高警觉工作人群的元情绪...

  

About

优尔论文网手机版...

主页:http://www.youerw.com

关闭返回