Fig。 7 As figure 6 (same pixels) but temperature = 10°C。 The time constants for capture and emission have increased。

electron ) modulates the MOSFET channel conductance。 In our case, we postulate that the field causes enhanced emission [9, 11) from other states within the depletion  region。 The field  from   a  charged   defect   will   act   over  a  distance

comparable with the Debye length,  La - (ss kT/q2  New"'

[13], where  °s is the  dielectric  constant  and  No the doping

concentration。 For No — 10 4 cm

large enough for the field to affect P-V centres in the buried channel。 Normally No will be higher than 1014 cm 3 at the surface (more like 3x10 6 cm-3›, however there must be a fall

off at the boundary with the channel stop and we suggest that is where the defect is located。 Note that the strong temperature dependence of the RTS time constants  Suggests that thermionic emission across the barrier is involved [15] since tunnelling processes are only weakly sensitive to temperature。 Further work on the temperature dependence of the capture and emission time constants may decide on this and give an indication of the barrier height。

摘要：钴60和10 MEV质子辐照进行n-埋通道帧有效转移,CCD研究改变电荷转移和当前暗电流室内温度,并读出条件，偏置依赖性和后退火效应被观察电离损伤。CTE在俘获与发射的效果方面能被解释。时间不稳定性（RTS信号）在质子观察引起的暗电流。

1。引言

本文介绍了辐射测试程序的结果旨在评估大面积的性能，地球成像仪采用CCD帧传输模式在附近的房间温度和读出速率约为1皮秒/像素。可以看出，热膨胀系数的影响并不像以前一样报道了低温、慢扫描等应用X射线天文学（如荷兰等）。也在附近的房间温度运行意味着黑暗的最小化。在反演操作CCD表面电流是有用的技术。我们报告使用适当的时钟方案（称为抖动时钟或动态的暗电流抑制），在辐射环境中工作。测试设备全部制造通过电子膨胀阀有限公司（切姆斯福德，英国），然而，许多的影响可以将由其他N频道CCD显示。来,自.优;尔:论[文|网www.youerw.com +QQ752018766-

六变薄，背照CCD将用于MERIS（中分辨率成像光谱仪），这将在ESA的第一极大地核心仪器观察团（poem-1）定于发射在1998到800公里的太阳同步轨道。设计生活的4年中，CCD将接触到一个总剂量约1。4 KRAD（Si）；主要来自在南大西洋异常被困质子。电离损伤是使用Co源因为初始测试电子-空穴复合效应是相似的那些高能质子[ 3 ]。位移损伤试验主要进行了使用10毫电子伏特的质子，因为，在能源，任何质子环境的预测可以作出使用非电离能量损失曲线[ 4 ]

飞行CCD是目前下开发和一个大面积的背照设备是不可用于这项工作。因此，各种在商业上可用的设备，以便比较不同的设计特点。总共有16个设备其中4个有780x 1152像素（型CCD05）和其余的，385x576像素（型CCD02）；两个小芯片被减薄和背面照明。