- 上一篇：高频率感应熔覆wc增强Ni60合金涂层性能开题报告
- 下一篇：旅游扶贫开题报告和参考文献
[11]李佼洋,黄旭光,蔡志岗.基于生物相容性敏感膜的光纤pH传感器[A].广东省光学学会（GuangdongOpticalSociety）,2013:1.
[12]李向明,韩泾鸿,张虹,李亚亭,梁卫国.采用H~+-ISFET的便携式上消化道pH值记录仪的研制[J].中国生物医学工程学报,2003,01:83-87.
[13]李一凡,刘捷.基于凝胶基质的PH传感器及微传感器[J].科技资讯,2012,18:113.
[14]陈瑶,薛月菊,陈联诚等.pH传感器温度补偿模型研究[J].传感技术学报,2012,08:1034-1038.
[15]孙红光,韩泾鸿,魏金宝,夏善红.基于pH-ISFET片上系统的研究[A].中国机械工程学会.中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集（一）[C].中国机械工程学会:,2005:3.
[16]王军波,吴旻宪,崔铮,崔占峰.用于生物微反应器pH在线监测光纤传感器研究[A].全国敏感元件与传感器学术团体联合组织委员会.第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集[C].全国敏感元件与传感器学术团体联合组织委员会:,2007:4.
[17]肖应旺.基于PLC的发酵PH复合模糊控制系统[A],2007:4.
[18]魏金宝.基于标准CMOS工艺的ISFET生物微传感SOC的信号读取电路研究[D].中国科学院研究生院（电子学研究所）博士学位论文,2006.
[19]罗勇钢,刘冠军,邹君.一种一体式pH传感器的研制[J].传感器与微系统,2014,12:54-56+63.
[20]陈鑫,顾铮.pH光纤化学传感器研究进展[J].激光与光电子学进展,2011,11:5-12.
[21]魏金宝,杨海钢,韩泾鸿,孙红光,夏善红.新型的ISFET微传感器读出电路单芯片集成研究[J].电子学报,2007,02:224-227.
[22]汪祖民,韩泾鸿,任振兴,陈绍凤,夏善红.聚合物在pH-ISFET研究中的应用[J].传感器与微系统,2007,04:1-3.
[23]施朝霞,朱大中.基于标准CMOS工艺的新型pH值传感器[J].固体电子学研究与进展,2009,01:152-155.
[24]韩庆鑫,石兆华,唐晓亮,刘伟生.荧光化学传感器的研究与应用[J].兰州大学学报(自然科学版),2013,03:416-428.
[25]杨振,颜永红,齐良颉.利用CMOS技术实现pH-ISFET传感器集成化的设计[J].半导体技术,2004,12:56-59.
[26]HaekwanOh,KiJungLee,JaehoBaek,SangSikYang,KeekeunLee.Development of a high sensitive pH sensor based on shear horizontal surfaceacous ticwave with Zn Onanoparticles[J].MicroelectronicEngineering,2013,:29-31.
[27]Hu,Xuelun,Wei,Yaoguang.Design of the Smart pH Senso rBasedon Ion Selection Electrode[J].Sensors&Transducers,2014,26:145-147.
[28]H.KomariAlaei,K.Salahshoor.The Design of New Soft Sensors Basedon PCA and a Neural Network for Parameters Estimation of Petroleu Reservoir[J].Petroleum Science and Technology,2012,3022:38-39.
[29]NavneetK.Sharma,B.D.Gupta.Fabrication and Characterization of a Fiber-Optic pH Sensor for pH Range 2 to 13[J].Fiberand Integrated Optics,2004,234:79-81.
二、毕业设计（论文）工作实施计划
（一）毕业设计（论文）的理论分析与软硬件要求及其应达到的水平与结果
理论分析：
ISFET 的结构就是将普通的MOSFET的金属铝栅去掉，让绝缘体氧化层直接和试液接触，或者是将栅极用铂膜作出引线，并且在此膜上覆盖一层离子敏感膜，这个离子敏感膜可以是固态膜，也可以是液膜，敏感膜与P型基体之间的绝缘层可能是Si3N4或者SiO2。由于敏感膜和试液的接触，所以在ISFET工作时需要通过试液中的参比电极施加栅极电压UG。它的源极和漏极的用法和电路与一般的MOSFET没什么区别。
MOSFET是利用金属栅上所加的电压的大小来达到控制漏源电流的作用；而ISFET则是利用它对试液中的离子具有选择性的作用来改变栅极电压，从而达到控制漏源电流变化的作用。
当把ISFET传感器插入试液中时，试液和敏感膜接触的地方就会产生一定的界面电压，它的大小主要取决于试液被测离子的活度，这个界面电压的大小将会直接影响VT的大小。在化学计量中，电解质溶液中某种离子的活度通常用αi来表示，假如试液中被测离子的活度为αi，而在试液中干扰离子影响极小的情况下，阈值电压就可以表示为：