如果衬底的电压同源极电压不等，那么管的阈值电压会有所变化：

    其中γ表示体效应系数。

由于体效应的存在，使器件的特性越来越不理想，使设计的复杂度和难度增加，在电路设计中要特别注意。对于体效应的改善依赖于工艺进步来减小γ。

前面讨论的是场效应管工作在栅源电压大于闭值电压的情况，在栅源电压小于阈值电压的情况下，对于理想MOS管，器件会关断。但实际的MOS管，在 时，仍有一个“弱”的反型层存在，并有一定的漏一源电流。即使 ，ID也并非是无限小，而是与 呈现指数关系。这种效应称为“亚阈值导电”。在 大于200mV左右时，这一效应可用公式表示为：

式中，ζ>1是一个非理想因子， 。亚阈值导电会导致较大的功率损耗，或者是模拟信息的丢失。