其中包括:由寄生频率引起的净变频损耗;二极管寄生参量的寄生损耗;混频器输入与输出端失配引起的失配损耗;电路本身的损耗。 [6]

3。1。2  噪声系数

混频器噪声系数的定义为:

                                           (3-2)

其中 和 为输入、输出信号资用功率,  和 为输入、输出信号噪声资用功率。混频器的噪声主要由非线性器件以及造成电阻性损耗的热源引起。 [7]

3。1。3  隔离度

隔离度的定义是输入微波信号功率和泄露到本振端的信号功率之比:

非线性器件两端和本振、信号、中频都是耦合的,这三个频率信号应该相互隔离,最重要的是本振与射频之间的隔离度。隔离度越大越好。[8]

3。1。4  动态范围

微波接收信号的波动性很大,混频器应能保证在信号正常波动范围内工作。输入信号的下限决定于输入端的噪声,计算公式:

 :混频器变频损耗, :中频放大器噪声系数, :中频宽带,M:信号识别系数。[9]

微波混频器上限由它的非线性决定,信号变强时,混频损耗增大。输入信号功率过大容易烧坏混频器,用高势垒或超高垫垒肖特基二极管能够扩大混频器动态范围上限,减少混频器的失真。[10] 

3。2  混频器的电路形式

3。2。1  单端混频器

单端混频器结构图如下,耦合器用来确保本振端口和信号端口有一定的隔离度。单端混频器结构简单,但噪声较大,性能差,只能在信号强、要求不高的时候使用。

图 3-1 单端混频器

3。2。2  单平衡混频器

单平衡混频器是用两只参数相同的二极管构成的混频器,因为性能较好、线路简单被广泛应用。根据管子上信号和本振之间的相位关系,分为反相型和 移相型两种。结构如下图所示:

图3-2 单平衡混频器结构图:(a)180度耦合电桥;(b)90度耦合电桥

单平衡混频器的特点是本振功率较高,动态范围大,隔离度较好,并且对RF的偶次产物有抑制作用。能够将本振噪声和一半高次谐波分量在输出端完全自动抵消,本振和信号端口隔离度高,本振功率无浪费,信号无损失。[11]3。2。3  双平衡混频器

把输入信号、本振经“巴伦”不平衡到平衡变换器馈到由四个二极管组成的二极管环,可以组成双平衡微波混频器。结构如下图:

 图3-4 双平衡混频器结构图

和单端混频器相比,双平衡混频器有很多优点:

(1)具有抑制本振噪声的能力。

(2)可以抑制寄生频率输出。

(3)抗毁能力和动态范围变大一倍。

(4)容易得到宽频带特性。

(5)信号本振隔离度高。[12]

鉴于以上优点,混频器中普遍采用双平衡混频器。

3。3 混频器的原理来自优I尔Q论T文D网WWw.YoueRw.com 加QQ7520~18766

图3-5是单平衡混频器的电路原理,利用3dB定向耦合器,端口1到3、4端口和从2到3、4端口相位差二分之π。

图 3-5 单平衡混频器的原理

射频信号和本振信号各自从1、2端口加入,通过定向耦合器。D1,D2上的信号和本振电压为:

D1上电压:

D2上电压:

根据混频电流的计算公式,D1中混频电流为:

D2中的混频电流为:  (3-16)

当 时,利用 的关系,可以求出中频电流为:

由式3-17,可以得到中频信号频率是射频信号频率与本振信号频率之差,实现了频率的变换。[13]

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