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1.3 本文主要工作
论文首先对宽禁带半导体进行了学习。
为实现基于第三代半导体的柔性显示器件源]自\优尔|文}论(文]网[www.youerw.com，论文对宽禁带半导体的低温制备方法进行了相关调研。主要对GaN的化学气相沉积（CVD）、脉冲溅射沉积（PSD）、分子束外延（MBE）等生长技术进行了研究。
通过无机材料和有机材料各自优缺点的对比，认为将具有良好空穴传导性能的有机材料与具有良好化学稳定性、高电子迁移率的ZnO材料相结合可以获得具有良好载流子注入平衡、较高载流子注入效率、拥有很高发光效率的EL器件。同时，有机/无机复合LED可选择的材料种类较为广泛；相比无机LED，器件的启亮电压更低；相比有机LED，器件的稳定性更佳。
论文还对无机／聚合物复合电致发光器件的研究进行了较长时间的深入调研。
最后，根据以上知识的学习提出了一种基于ZnO纳米棒/有机材料的复合电致发光器件结构。
2 宽禁带半导体的晶体结构与基本特性
2.1 氮化镓、氧化锌的基本晶体结构
氧化锌具有三种形式的结晶：六角纤锌矿结构、立方闪锌矿结构和立方岩盐结构。在室温条件下，纤锌矿结构是最稳定也是最常见的。用具有立方晶格结构的衬底可以生长稳定的闪锌矿结构的氧化锌。在这两种情况下，锌和氧化物中心是四面体。岩盐（氯化钠型）结构很少见，仅在10Gpa的高压下被观察到过[4]。这些基本结构如图2.1所示。
除了这三种基本形式，使用专门的生长方法还可以获得很多其他晶体形状的氧化锌。晶体的精确形状取决于形成的方法。一般地，氧化锌形状在针状和板状晶体与纳米管、纳米花、纳米梳等之间变化。
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