1.3.3 GaAs MMIC开关研制流程

GaAs微波单片电路不同于混合集成电路，所有元器件一次加工完成，不能修改调试，因此用CAD工具进行精心设计是必然途径。GaAs MMIC开关研制与所有GaAs MMIC研制过程大致相同，如图1．2所示。

  图1．2  GaAs MMIC开关研制流程

1.4国内外产品情况

1.4.1  国外产品情况

1.4.2  国内产品情况

1.5论文主要研究工作

论文研究内容主要包括GaAs MMIC开关芯片的设计、优化仿真、电磁验证、制造、测试分析等。

论文的组成和主要内容安排如下：

第1章绪论

综简述本文的理论前提及相关领域的研究情况。说明本文所述产品的研究背景和意义，提出本文的主要工作内容和论文的组成。

第2章GaAs MMIC开关设计原理

介绍GaAs FET开关的工作原理，FET器件的结构、等效电路及其电路的指标分析。

第3章 GaAs MMIC开关设计

主要介绍芯片设计的器件选择，拓扑选择，优化仿真及指标的选择。

第4章GaAs MMIC开关制造

介绍主要工艺流程、关键工艺以及工艺过程控制等。

结语

本章是对论文全部研究工作的总结，指出本论文产品的研究成果、应用推广情况和今后的努力方向。

第二章 GaAs MMIC开关设计原理

2.1 GaAs FET开关的工作机理

GaAs FET作为开关器件时，其实相当于一个压控电阻器，它的栅偏置控制沟道的源漏电阻，同时，FET器件本身的栅源电容、栅漏电容等寄生效应会限FET开关的高频性能

GaAs FET在典型的开关模式中，当栅源反偏到超过夹断电压Vp (|Vgs|>|Vp|)时，GaAs FET源漏间处于高阻状态；当栅源电压为零时，GaAs  FET源漏间处于低阻状态。FET的两个线性工作区域如图2-1所示。值得注意的是，FET开关在两种状态几乎不需要要直流功耗，因此FET开关可以被看作无源器件。FET开关低到可以忽略的直流功耗大大的简化了驱动电路。