目录 IV

图清单 IV

表清单 IV

1 绪论 1

1.1 课题研究背景及意义 1

1.2 国内外研究现状 2

1.3 本论文的主要工作 4

2 物理设计和布图规划 5

2.1 VLSI 设计流程 5

2.2 物理设计过程 5

2.3 布局和布图规划 6

2.4 VLSI 布图规划问题和序列对模型 8

3 B*-tree 和模拟退火算法 SA 12

3.1 B*-tree 12

3.2 模拟退火算法 16

4.改进软模块变形和仿真 23

4.1 对软模块变形的改进 23

4.2 仿真 28

5 结论 33

附录 34

参考文献 40

致谢 42

图清单

图序号 图名称 页码 

图 1-1 摩尔定律发展方向 3

图 2-1 VLSI 设计流程 6

图 2-2 物理设计过程 7

图 2-3 布局的边界约束示意图 11

图 3-1 紧致布局以及相应的水平 B*-tree 树示意图 13

图 3-2 删除操作-情形 2 15

图 3-3 删除操作-情形 3 15

图 3-4 模拟退火算法流程图 19

图 4-1 初始软模块的变形 23

图 4-2 布局完成后的结果 23

表清单

表序号 表名称 页码 

表 1-1 特征尺寸缩小导致 IC 改进趋势 3

表 4-1 不同 AR 下布图成功率和空隙比的结果 28

表 4-2 不同 WS 下布图成功率、空隙比以及执行次数的结果 29

表 4-3 改进后的 SA 和没有改进的 SA 数据对比 30

表 4-4 四种不同违反量在不同模块数下的比较 31

1 绪论

1.1 课题研究背景及意义

随着信息产品市场需求的增长，尤其通过通信、计算机与互联网、电子商 务、数字视听等电子产品的需求增长，世界集成电路市场在其带动下高速增长。 集成电路之所以获得如此迅速的发展，与数据处理系统日益增长的各种要求是 分不开的，也是半导体电子学与计算技术工程方面进行了许多研究工作的结果。 集成电路技术从发明到今天极大程度地改变了人类工作与生活的方式：从巡航 导弹上的微电脑，电脑互联网，手提无线电话，到传真机等各类家用电器，用 硅等半导体材料制成的集成电路芯片已经无所不在。