●+3。0V - +5。5V电压即可对其供电，更加的节能安全，也更易于供电。文献综述

●程序设置寄存器可设置传感器的状态，分别是测试模式和工作模式。程序设置寄存器也用于设置温度分辨率，即可设为9位-12位。

DS18B20芯片的常见封装为TO-92，也就是普通直插三极管的样子，也有以SO（DS18B20Z）和μSOP（DS18B20U）形式封装的产品，下面为DS18B20各种封装的图示及引脚图，如图3。2。1。

该芯片的管脚定义如表3。2。1：

8引脚SOIC封装 TO-92封装 符号 说明

5 1 GND 接地

4 2 DQ 数据输入/输出引脚，寄生电源模式时提供电源

3 3 VDD 电源引脚，工作在寄生电源模式时必须接地

表3。2

DS18B20内部结构主要由5个部分组成：寄生电源模块、64位ROM和单线接口模块、温度传感器、存储器与控制逻辑模块以及便笺存储器模块。

DS18B20芯片可以工作在“寄生电源模式”下，该模式允许DS18B20工作在无外部电源状态，当总线为高电平时，寄生电源由单总线通过VDD引脚，此时DS18B20可以从总线“窃取”能量，并将“偷来”的能量储存到寄生电源储能电容（Cpp）中，当总线为低电平时释放能量供给器件工作使用。所以，当DS18B20工作在寄生电源模式时，VDD引脚必须接地。

了解DS18B20的结构后，还必须理解时序图。DS18B20的所有通信都由复位脉冲组成的初始化序列开始。该初始化序列由主机发出，后跟由DS18B20发出的存在脉冲。下图1阐述了这一点。当发出应答复位脉冲的存在脉冲后，DS18B20通知主机它在总线上并且准备好操作了。在初始化步骤中，总线上的主机通过拉低单总线至少480μs来产生复位脉冲。然后总线主机释放总线并进入接收模式。

  DS18B20的写时序：主机在写时隙向DS18B20写入数据，并在读时隙从DS18B20读入数据。在单总线上每个时隙只传送一位数据。有两种写时隙：写“0”时间隙和写“1”时间隙。总线主机使用写“1”时间隙向DS18B20写入逻辑1，使用写“0”时间隙向DS18B20写入逻辑0。所有的写时隙必须有最少60us的持续时间，相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。两种写时隙都通过主机拉低总线产生。

读时序： DS18B20只有在主机发出读时隙后才会向主机发送数据。因此，在发出读暂存器命令 [BEh]或读电源命令[B4h]后，主机必须立即产生读时隙以便DS18B20提供所需数据。所有的读时隙必须至少有60us的持续时间。相邻两个读时隙必须要有最少1us的恢复时间。所有的读时隙都由拉低总线，持续至少1us后再释放总线产生。在主机产生读时隙后，DS18B20开始发送0或1到总线上。主机释放总线和采样总线等动作要在15μs内完成。来*自-优=尔,论:文+网www.youerw.com

温度传感器的操作命令有：串行传输的ROM命令，以及串行通信的对存储器操作指令。ROM指令是由各从机的64位ROM代码决定的,主机在单总线上连接从机设备需要通过ROM指令操作,并指定某一从机设备进行工作；同时,ROM指令使得主机能够检测总线上从机设备的类型，输出功能命令之前，主机必须发送正确的ROM命令。

存储器命令有将温度变成数字信号的开始指令和操作命令，其中操作命令有输入便笺数据、输出便笺数据、拷贝便笺数据、回读EEPROM和获取电源信息