2.3.1 传感器原理
光电池是在 N 型硅片上扩散硼形成 P 型层,然后分别用电极引线把 P 型和 N 型层引出,形成正、副电极,如图 3.1 所示。当光照射到 PN 结时,在光子能量的作用下,N 型半导体中的电子就向 P 区扩散,P 型半导体中的空穴向 N 区扩散。这样就在结区的附近激发出电子、空穴,形成电场。这个电场又使 N 区的光生空穴向 P 区运动,P 区积聚了正电荷,P区的光生电子向 N 区运动,N 区积聚了负电荷。结果就在 PN 结的两端出现了电动势,即光生电动势[11]。
图 2.1 光电池原理图
硅材料制成的光电池频率特性相对较好,光谱范围比较宽,响应频率也在可见光范围内,光学系统采用普通的 LED 灯即可。
硅光电池在不同光照射条件下输出不同的光电流和光生电压,它们之间的关系用光照特性曲线来表示。由图 2.2 可知,在很大的范围内,短路电流(曲线 2)和照度成线性关系,虽然开路电压(曲线 1)在照度很小时增加很快,但很快就达到了饱和值,实际使用时让其在接近短路状态下工作,以得到更好的光照特性。