Solidworks多芯片组件的热效应和热应力分析
关键词：Fourier导热模型 有限差分方法 热应力 多芯片组件 基板
毕业论文设计说明书外文摘要
Title 摘要
Abstract
With the development of electronic packaging industry, time scale and space scale of small heat transfer phenomenon appeared in the electronic packaging, so the Non - Fourier effect more and more strong.Continue to use Fourier heat conduction model to analyze the heat transfer process of substrate, is bound to be the result of study greatly deviate from the actual situation.
Using Solidworks modeling, this paper establish a heat conduction differential equation, and USES the finite difference method was used to solve the model equation, heat conduction model of temperature field distribution, at the same time, using the finite element software ANSYS to model, the corresponding thermal stress analysis with ANSYS numerical simulation of temperature field and stress field.
Keywords: Fourier heat conduction model Finite difference method The thermal stress
More chip components The base plate
目 次
第一章引言 2
1.1研究背景及意义2
1.2多芯片组件（MCM）3
第二章 传热学 有限元法理论 6
2.1传热学理论6
2.2有限元方法概论8
第三章 MCM 多芯片组件热分析 10
3.1建立有限元分析模型10
3.2本章小结13
第四章多芯片组件热应力分析15
4.1热应力概述15
4.2热应力分析结果15
4.3小结16
结论 17
致谢 18
参考文献19
第一章 引言
随着现代电子组装技术的迅猛发展,电子器件整体朝着缩小体积、重量、高速、高性能、高可靠和低成本的方向迅猛发展。而且由于超大规模集成电路的出现和元器件微型化的迅速发展和应用,一直限制电子系统实现高性能和小型化的主要原因已不再是元器件本身而是元器件的组装方式与封装方式。
1.1 研究背景及意义
1.1.1电子组装技术
世界上第一块半导体集成电路在1958年问世,在往后短短40多年的时间里,作为微电子组装技术核心的集成电路(IC)技术,经历了小规模(SSI)、中规模(MSI)、大规模(LSI)、超大规模(VLSI)和巨大规模(ULSI)等五个阶段。1970年以后,集成电路的增长速度更加快速,平均每三年就推出新一代的DRAM(动态随机存储器)。而到了1980年左右,电路的集成度突破到1~4Mb DRAM,微细加工的技术研究也突破至亚微米(<1μm)级。
自20世纪90年代后，电子工业开始进入高速发展阶段。人们希望电子设备具备体积小、重量轻、性能好、寿命长等特点来满足人们各方面的需求。因此直接促进了电子电路的高度集成技术和高密度组装技术的产生和发展，前者人们称为微电子封装技术，后者则将之称为微电子表面组装技术，英文名是Surface Mount Technology，简称SMTc，它们是现代电子产业中先进制造技术的重要组成部分。
1.1.2电子组件热分析现状
由于人们希望电子设备体积小、重量轻、性能好以满足各种要求，从而使得电子元器件的封装密度不断增大，尺寸减小，导致元器件工作温度过高，性能下降，因而电子元器件的热问题也愈加受到关注。