在特殊形态材料领域里，如在太阳能利用、传感器、微电子、光学、信息等科学技术领域中，薄膜技术都得到了广泛的应用。随着现代薄膜产业的快速发展，薄膜技术的应用范围正在逐渐的扩大。薄膜技术涉猎非常广，不仅涉及到物理学、固体物理学、结晶学、表面科学[6]和化学等基础学科，还与化工、真空和冶金等科学技术紧密结合。该技术是现代材料科学技术的重要组成成分，引起了人们的高度重视，许多科研工作者对其进行了深入的研究。目前薄膜科学技术正在曰新月异地向前发展。薄膜技术既是综合性的应用科学，又涉及到许多跨学科的理论基础，特别是近年世界薄膜产业飞速崛起，因而对薄膜材料的研究既具很强的理论意义又有广泛的应用价值[7]。

透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。金属膜系导电性能好，但是透明率差。半导体薄膜系列刚好相反，导电性差，透明率高。当前研究和应用最为广泛的是金属膜系和氧化物膜系。透明导电薄膜主要用于光电器件（如LED，薄膜太阳能电池等）的窗口材料。常见的透明导电薄膜为ITO（锡掺杂三氧化铟）、AZO(铝掺杂氧化锌)等，它们的禁带宽度大，只吸收紫外光，不吸收可见光，因此称之为“透明”。

最近几年来国内外的研究者分别在低温制备的设备、工艺、薄膜的表面改性、多层膜系的设计和制备工艺方面进行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R。F磁控溅射工艺在不加热的聚碳酸酯（PC）衬底上制备了厚度为250mm，电阻率为6× ~2（Ω·cm），透过率为74%~90%；Park Sung Kyu等利用R。F磁控溅射工艺在低温聚合物PES上制备了110nm ITO，方块电阻是20O/□，透过率80%，但是表面的粗糙度较大；法国的David等，利用In-Sn合金靶在100℃下沉积在聚合物上的ITO薄膜透过率为85%，电阻率为~0。003Ω·cm，表面粗糙度为15-50，美国的Daeil。KIM用直接金属离子束沉积（DMIBD）方法在70℃的条件下制备的ITO薄膜最高透过率为85%，最低电阻率为4×Ω·cm，表面质量比较高；此外还有一些研究人员利用脉冲激光沉积（PLD），电子束热蒸发和金属离子辅助溅射等方法在低温甚至在室温的条件下进行高质量塑基的薄膜制备。

国内的贾永新在150℃基板条件下制备出了透过率为80%左右ITO薄膜，但没有见电阻和表面特性的报道；近年来李育峰等利用微波等离子体辅助方法在120℃的基片上沉积的薄膜透过率大于85%，但方块电阻大于100O/□，表面特性没有报道；马瑾等在塑料衬底上在80℃-100℃的条件下制备出了透过率大于84%，电阻率~0。001量级的薄膜。

综上所述，国内在低温尤其常温下制备ITO薄膜方面研究还不够充分、不够全面；并且研究制备方法也比较单一，与国外有比较大的差距。近年来国外尤其日本和韩国分别在低温沉积技术、薄膜生长机理和薄膜表面改性方面进行了深入的研究，在保证不对薄膜衬底产生破坏的情况下，在低温甚至室温的条件下制备出了薄膜电阻率低于5×Ω·cm，透过率大于85%，表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。

经过近一个世纪的研究，目前的透明导电薄膜家族中成员众多，主要包括金属膜、金属氧化物膜、其他化合物膜和多层膜等。本文将对各类透明导电薄膜的制备方法、应用水平及目前最新的研究进展进行较详细的介绍。

1。2 透明导电薄膜材料的研究

自20世纪80年代以来，薄膜技术取得了突飞猛进的发展，无论在学术上还是在实际应用中都取得了丰硕的成果。薄膜技术和薄膜材料已经成为当今材料科学中最活跃的研究领域之一，其中透明导电薄膜由于其具有的高导电性、在可见光范围内的高透光性以及在红外光范围内的高反射性等优点引起了学者们的广泛关注。