国外产品情况国外宽带产品种类比较多,比较有代表性的宽带开关产品如图I.3所示,下面介绍几种典型产品:

Hittite公司的HMC347吸收式单刀双掷开关芯片,DC-20GHz频率范围内插入损耗1. 6dB,隔离度40dB,输入输出电压驻波比2:1;

Bookham  公司的P35—4233反射式单刀三掷开关芯片,DC-18GHz插入损耗2.2dB,隔离度55dB;

Triquent TGS8250-SCC反射式单刀双掷开关芯片,DC-18GHz插入损耗2dB,隔离度39dB;66370

Agilent HMMC2027吸收式单刀双掷开关芯片,Dc-26.5GHz插入损耗2.2dB,隔离度30dB。

国外部分GaAs MMIC宽带开关产品

2  国内产品情况

国内GaAs MMIC相关研究工作主要由河北半导体研究所和南京电子器件研究所承担.近年来国产GaAs MMIC发展相当迅速,开关、移相器、衰减器、低噪声放大器、混频器、VCO、功率放大器等产品逐渐系列化、规模化。GaAs MMIC宽带开关由河北半导体研究所和南京电子器件研究所在半导体情报和固体电子学研究与进展杂志分别报道过。图1. 4是河北半导体研究所的一款宽带单刀双掷开关照片。图1.5足南京电子器件研究所的一款宽带单刀双掷开关照片。

参考文献

 

[1]Ian Robertson and Stepan Lucyszyn.RFIC&MMIC design and   technology[M].London;The Institution of Electrical Engineers,2001.2-4.

[2]戴永胜,陈堂胜,岑元飞等高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关[J],固体电子学研究与进展,2000年5月,20(2),.

[3]AYASLI,Y.Microwave switching with GaAs FETs[J],Microwave Journal,1992,61-74.

[4]ERON,M.Small and large signal analysis of MESFETs as switches[J],Microwave Journal,1992,128—140.

[5]Devlin,L.The design of integrated switches and phase shifters,Design of RFICs and MMICs(Ref.No.1999/158)[J],IEE Tutorial Colloquium,1999Nov.,2/I一2/14

[6]谢媛嫒 高学邦 魏洪涛等GaAs PHEMT开关模型的研究[J],半导体技术,2006,31(3),PP.183—185.

[7]W.R.Curtice,A MESFET model for use in the design of GaAs integrated circuits[J],IEEE Trans.Microwave Theory Tech,1985,33,129—135。

[8]AYASLI,Y.,VOURHAUS,J.PUCEL,R.et.Monolithic GaAs distributed FET switch circuits[C],Proceedings of IEEE GaAs IC Symposium,San Diego,1981.

[9]Inder Bahl,Prakash Bhartia Microwave Solid State Circuit Design[M]Second Edition,John Wiley&Sons Inc.2002,453—456.

[I0]McKENZIE,W.,BARRY,D.M.,SNOWDEN,C.M.et a1.Computer—aided design of MMIC structures[J],lEE Proceedings,1986,405~410.

[11]KATZIN,P.,BEDARD,B.,SHFRIN,M.,et a1.High speed,100+WRF switches using GaAs MMICs[J],IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,1992,40(1 1),PP.1981996.

[12]Chang,K.I.Bahl,and V.Nair,RF and Microwave Circuit and Component[M]Design for Wireless Systems,Wiley,New York,2002,Chap.7

[13]Engineering applications of electromagnetic field solvers[C],IEEE~NTT-S Workshop Notes,San Diego,1994.

[14]Fisher,D.,and I.Bahl,Gallium Arsenide IC Applications Handbook[C],Academic,San Diego,CA,1995

[15]Bahl,I.J.,Monolithic Microwave Integrated Circuits[C],in Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics,Wiley,New York,1999,13,PP.490—513

[16]R.V.Ghita etel,Studies of Ohmic contact and Schottky Barriers ob Au—Ge/GaAs and Au-Ti/GaAs[C],Jour.of Optoelectronics and Adv.Mat.,2005,7,3033—3037.

[17]Hung-Cheng Ling et al,Optimization of AuGe—Ni—Au ohmic contacts for GaAs MOSFETs[J],IEEE Trans.on Elect.Dev.,2003,50(4),880-885

上一篇:虚拟仪器的射频一致性测试国内外研究现状
下一篇:毫米波主被动复合探测器的研究现状及发展趋势

微课国内外研究现状和发展趋势

翻转课堂国内外研究现状

小学全科教育研究现状综述

教材的比较研究现状

国内外会议产业现状研究

低段小学生实践类作业研究现状

媒妁史媒人研究现状

麦秸秆还田和沼液灌溉对...

新課改下小學语文洧效阅...

张洁小说《无字》中的女性意识

互联网教育”变革路径研究进展【7972字】

ASP.net+sqlserver企业设备管理系统设计与开发

LiMn1-xFexPO4正极材料合成及充放电性能研究

网络语言“XX体”研究

我国风险投资的发展现状问题及对策分析

安康汉江网讯

老年2型糖尿病患者运动疗...