1978年，加拿大的Hill首次在掺锗光纤中发现，因光诱导产生光栅。他们使用488nm氩离子激光在光纤中产生驻波干涉条纹，使纤芯折射率沿着轴向产生周期性微动，制造了世界上第一支光纤光栅。[1]这是光纤光栅研究的起点，但是，由于入射效率低、响应波长受到激光写入波长限制等缺陷，在很长一段时间内，光纤光栅并没有得到足够重视。80424

1989年，美国Meltz发明了新的技术，用紫外光侧面写入光栅。[2]这项新技术有效提高了光纤光栅的写入效率，而且，通过改变两相干光的夹角可以调控光栅的波长，为光纤光栅制作开辟了条可行的道路。此后，光纤光栅的研究飞速发展。论文网

1990年，Hand和Russel提出了色心模型。该模型提出，Ge掺杂光纤中形成的色心Ge(1)和Ge(2)吸收中心在紫外波段，这导致Ge掺杂光纤在紫外区的吸收光谱。[3]在Atkins的吸收带实验和Kramer-Kroning关系计算对比分析、光栅写入光纤和经高温擦除后的光纤光敏性对比实验中得到证明。

1993年，Lemaire提出了一种简单有效的方法，低温高压载氢提高光纤光敏性。[4]这种方法是光纤内掺杂离子技术后，首个提高光纤光敏性的外在方法，取得了很大成功。通过这项技术，光纤的光敏性可以提高两个数量级，同时制作成本也会大大降低。为制作高反射光纤光栅提供了技术支持。

同年，Hill提出了相位掩模写入的技术。该技术用紫外光通过过相位掩模后的+1、-1级衍射光对光纤写入光栅。[5]该技术的灵活性是光纤光栅的批量生产成为可能。如今，这种技术是公认的光纤光栅制作的首选技术。

同年，Jackson提出基于平行阵列的光纤布拉格光栅WDM拓扑结构，[6]在光纤光栅复用技术领域迈出了第一步。此后，如TDM、SDM、CDM等复用技术、以光纤光栅为基元的各种拓扑结构及他们的何种组合和网络系统层出不穷，推动了光纤光栅在通信及传感领域的发展。