近几年，硅烯在银衬底下物性的研究成为很受欢迎的课题，这也是我的工作以硅烯作为研究内容的原因。MauroSatta等人的研究发现，他们认为Ag（111）衬底的硅烯模型,一般是硅和银之间的混溶9。然而，最近有的文献中说明，硅银界面的形成是发生在Ag（111）内部第一层的露台，而不是他们的顶部10。对此，科学家依据密度泛函理论，利用扫描隧道显微镜，研究并且揭示了硅和最上层银原子成核过程中最基本的交换机制。他们的研究结果表明，要想正确的描述硅和Ag（111）界面，必须要考虑到硅银的强相互作用11。同时这也是我的工作中心和研究目的所在。80456

相关科学家都曾验证，硅银在常温下是不混溶的，硅烯可以在Ag（111）表面衬底上合成，且可以形成若干不同的结构模型12。我的毕业设计工作在一定程度上也说明了类似问题，与文献中的观点相一致。同时支持硅烯存在的主要观点是：线性电子对分散在费米能级，依

托于狄拉克锥体的附近。实际上，Si原子与其它原子发生强烈相互作用是在Ag衬底下发生的。并且同时驱逐银原子，诱导界面的产生，或是在第一层内部台阶重建，而不是在衬底的

顶部13。出人意料的是，至今在银表面的硅反应从来没有实际的理论计算，并且没有令人信

服的精确度的结果。部分文献中的研究，最初的假设，是在第一硅层上用未经改造的Ag(110）或Ag（111）顶部作为衬底，并没有考虑其他的假设。

他们做了对Si/Ag(111)界面上单个硅原子与Ag（111）的相互作用的模拟。对硅的两个最稳定的吸附位是hcp（T4）和fcc（H3），分别为图1。6(a)和图1。6（b）。对于两个位点，由此计算的硅吸附能量值是Eads≈3。6eV，66mV的H3位点具有更高的相对稳性 。当硅被吸附，释放的能量可以由系统通过不同的相互排斥的进程来消散：（i）它可以分散在银散装的声子浴，（ii）它能在Ag（111）面促进对硅原子吸附，（iii）可以通过Si原子以用于促进吸附区局部的Ag原子反应。同时这些不同的通道在同一时间上可以不同的程度来填充。由于复杂的动态多层次方法，他们认为（i）点的讨论超出现在的工作的目的，这适用于最近的量子力学中研究金属的方法。因此，依据计算能量学和通过构建反应最小能量路径的可能性更大事件，最终他们把注意力集中在点（ii）和（iii）。图1。6Ag（111）衬底下，硅原子在T4和H3位点吸附，红色球为硅，蓝色球为银他们的后续工作用Fe/Cu（100）结构作为参照，进行比较。实验结果表明无论是总能量，还是从第一Si层嵌入到第二Si层的传递势垒下降的能量，可使之用来交换过程中吸附原子因此，类似于Fe/Cu（100）组成的结构中，一个Si原子吸附的能量加N个Si的嵌入式原子的能量，预计会比一个系统的能量更高。此外，离散的Si原子到达嵌入式岛的概

率随着岛的尺寸变大和交换过程中能量势垒增大而增加，预计将随着n的增加而减少，如在Fe/Cu（100）结构也是如此15。因此，在Si-Ag交换反应发生中岛的尺寸急剧增大，从而导致残存Si吸附原子的进一步嵌入。结果是，整个过程引起岛屿凹陷的形成和新的Ag（111）梯型结构。

在他们的工作中，我们可以了解到Si/Ag(111)界面的成核过程。通过结合DFT和STM研究，证明了利用在吸附过程中释放的多余的能量，硅原子可以穿透第一银层和银原子交换的位置。他们研究，对最近文献里实验观察的Si/Ag(111)成长过程，找到了一个自然的解释：嵌入式Si原子被限制在第一Ag（111）层，它们作为种子来修复岛屿的凹陷。这样的结果同也告诉我们描述硅银表面反应时不能忽略Si/Ag(111)界面的形成16。