可电擦除、高速暂存器 RAM 是 DS18B20 的两种存储器。配置寄存器、温 度触发器 TH 以及温度触发器 TL 组成了可电擦除 RAM。一线端口通信能用存储 器确认，开始寄存器写进数字，然后读取来确定这些数字。通过确认将数字移动 到可电擦除 RAM 里。整个这一过程在对寄存器里的数字进行修改时以确保其完 整。

高速暂存器 RAM 是由 8 个字节的存储器组成。读出第 9 个字节以检查之前

8 个字节。存储器的构成表如表 2-1 所示。

表 2-1 存储器的构成表 高温存储器 RAM 字节 E2RAM

温度低字节 0 TH

温度高字节 1 TL

上限警报温度 TH 2 CONFIG

下限警报温度 TL 3

结构寄存器 4

保留 5

保留 6

保留 7

CRC 8

·64-位光刻 ROM

其前 8 位是 DS18B20 代码，中间的 48 位是数字代码，最后 8 位是检查之前 56 个 CRC。64-位光刻 ROM 的结构图如图 2-4 所示。

64 位光刻 ROM

8-BIT CRC 码 48-BIT 序列号 8-BIT 序列码（10h）

MSB LSB MSB LSB MSB LSB

图 2-4 64-位光刻 ROM 结构图

·外部电源连接

能让 DS18B20 使用的电源有两种，一种是外部电源 VDD，另外一个是内部 寄生电源。

·配置寄存器 数字与温度相互转换靠的是配置寄存器不同位数的配置使得温度和数字互

相转化。其结构图为图 2-5。

TM R1 R0 1 1 1 1 1

图 2-5 配置寄存器的结构图

从上图可知，温度决定位为 R1、R0，二者任意组合能配出 9~12 位的显示 温度。从中可以了解到各个转换时间相应的转换温度位，9~12 位配置分辨率分 别为 0。5℃、0。25℃、0。125℃和 0。0625℃，出厂时配置成 12 位。温度的决定配置 表如表 2-2 所示。

表 2-2 温度的决定配置表

R1 R0 分辨率 温度最大转换时间

0 0 9 位 93。75ms

0 1 10 位 187。5ms

1 0 11 位 375ms

1 1 12 位 750ms

·温度的读取

出厂的时候，DS18B20 被配置成 12 位，读 16 位从而来读取温度，符号位