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的幅值、极性等，切断外部电源后，它会保持断电前的阻值不变，也称为非易失存储
性。
它的结构通常是典型的“三明治”MIM 三层结构，即底电极层与顶电极层以及中间
的阻变材料层（通常为半导体材料或绝缘材料），其工作原理是在两金属电极之间加
一定的电压刺激，使得阻变层产生忆阻效应，电阻由高阻态（HRS）转变为低阻态（LRS），而后再加一定电压刺激，其电阻态又返回高阻态。正是利用阻变材料这种忆
阻特性来逻辑计算中的“0”和“1” ，从而实现二进制数据的储存。同时,某些忆阻材
料还具有多阻态转换的性能，有利于制成多级存储器。进一步讲，特定的阻变材料具
有多种可变的阻值状态，可以读取低阻到高阻之间的多种阻值状态，进而实现多值存
储器。上诉多值存储要是得到实现，这将是存储器技术的一次重大革命。与传统的存
储器相比，忆阻器 RRAM具有很明显的技术优势（如表 1）。