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    如Liu Xiaohui等用传统方法制备Ga掺杂的0.7Bi(GaxFe1+x)O3-O.3BaTiO3 (x=0,0.025,0.05,0.1)陶瓷,观察到铁磁和铁电效应,当Ga增加时,剩余磁化Mr和矫顽磁场Hc减小,而剩余极化Pr先增加后减小。Choudhary等采用固相法制备出(Bi1+xPbx)(Fe1+xZr0.6Ti0.4x) O3 (x=0.15,0.25,O.40,0.50)(BPFZT)纳米陶瓷复合体,其介电常数和介电损耗随着频率和温度的升高而降低,同时表明随着PZT含量的增加,漏电流和介电损耗减小。
     朱金龙、靳常青等研究了多铁性材料Bi (Fe1/2Cr1/2) O3,该发明采用金属氧化物同相混合方法、高温高压法合成单相的反铁磁和铁电共存的多铁性材料;
    由上多铁性材料多为3元或者3元以上的化合物,具有多铁性的氧化物的有20世纪60年代见诸于报道的Cr2O3,Ti2O3;而最近T.KIMURA 等在大约8atm纯氧分压下,采用浮区技术(float— ing zone technique),制备出单晶的CuO晶体,室温下X—ray测量表明为单斜结构(a=0.468 nm,b=0.342 nm,c=0.129 nm,β=99.54°),是一种较好的高温多铁磁电材料,已引起人们广泛的关注。
    3.1单相多铁性材料存在的问题
    尽管单相多铁性材料具有一系列优越性能,但其还是存在一些问题制约着它的实际应用。
    一,从导电性来看,多铁性材料要实现铁电和铁磁的共存,材料必须为绝缘体,而一般的铁磁体都具有导电性。例如纯BiFeO3陶瓷由于Fe3+易变价而形成氧空位导致材料的绝缘性低,其性能方面存在一些缺陷如材料中漏电流大、易击穿而难以得到饱和极化强度。近年来一些研究者通过不同方法得到了BiFeO3材料的饱和电滞回线。Wang Y P等采用快速液相烧结法获得纯相BiFeO3陶瓷,并测得室温下饱和电滞回线。他们认为烧结过程中产生的液相BiFeO3能促进烧结并可能抑制了杂相的生成。针对漏导电流大的问题,目前最普遍的方法就是将块状多铁性材料制成薄膜。经研究将BiFeO3制成薄膜后漏导电流得到了降低,然而材料的磁电效应却也随之降低。
    二,多数多铁性材料转变温度在室温以下,很难应用。很少有像BiFeO3材料一样,在室温条件下同时具有铁电性与弱铁磁性的铁电磁体。BiMnO3块体材料虽然同时存在铁电和铁磁性,但其铁电相变温度TE为750K,铁磁相变温度TC为105K,顺磁居里温度为130K。
    三,一些材料中同时存在铁电性和磁性,它们之间也不一定具有强的磁电耦合性。因为它们两者之间是相互独立互不干扰的。如Bi系多铁材料中的BiMnO3为铁磁和铁电共存,但是其介电特性几乎不随外加磁场而改变。
    四,纯净的单相多铁性材料很难制。邱忠诚等采用水热法合成BiFeO3粉体,在较宽的实验条件下获得单相BiFeO3粉体,并且实现了形貌可控。
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