“从下到上”的生长方法主要主要包括化学气相沉积法（CVD）、SiC晶体外延生长法[15,16]等。CVD法的原理是在高温的条件下，使含有碳源的各种反应物（如各种烃类）发生裂解反应，裂解后的C在衬底（比如铜或镍）上沉积而生成石墨烯。为了提高制备得到的石墨烯的质量，通常还会在制备过程中分段控制反应的时间以及温度，有效的提高了产品质量，但这也带来了成本的上升以及工艺技术复杂程度的增加。SiC晶体外延生长法是通过加热单晶体碳化硅，脱除Si，从而得到在SiC表面外延生长的石墨烯[15,16]。需要将预先处理过的样品在高真空度条件下使用电子束轰击，以此加热到1250-1450摄氏度左右形成石墨烯。论文网

2。2石墨烯的制备过程

氧化石墨剥离还原法拥有产量高、成本便宜和原料充沛且易获取等好处，是制备石墨烯的理想途径之一。本文采用此方法制备石墨烯，分两步进行，第一步是制备氧化石墨（GO）,第二步是还原GO从而得到石墨烯。

2。2。1制备氧化石墨的方法

制备氧化石墨的经常使用的方法有三种，分别为Hummers法[17]、Staudenmaier法[18]和Brodie法[19]。其中，Hummers法是各实验室经常采用的方法。Hummers法通过加入浓H2SO4、高锰酸钾和磷酸等，与原材料石墨发生氧化反应，得到氧化石墨。在Hummers法的制备过程中，需要精确控制温度，操作过程也比较繁琐。不过使用Hummers法得到的氧化石墨质量较好，本文采用的制备氧化石墨的方法就是Hummers法。

2。2。2制备氧化石墨的过程

实验原料：纯度大于99%的片状石墨、高猛酸钾、浓硫酸（98%）、磷酸、双氧水（30%）、盐酸（30%）、无水乙醇、去离子水。

实验器材：搅拌器、恒温水浴箱、超声波清洗器、玻璃棒、离心机、离心管若干、烧杯若干、一次性滴管若干、300nm滤筛、300nm滤布、真空烘干炉

实验步骤：

1)称量3g（1wt%）片状石墨，18g（6wt%）高锰酸钾，加入到浓硫酸与磷酸以体积比9:1配制而成的400 ml混合液中。将得到的黑紫色混合溶液放入恒温水浴箱中，设定温度为35摄氏度，搅拌机以每分钟100转的速度搅拌1小时。

     图2。1  电动搅拌器

2)再将恒温水浴箱的温度设定为50摄氏度，并持续搅拌12小时，之后停止搅拌，使溶液冷却到室温。

          图2。2  正在放入恒温水浴箱中进行搅拌的溶液

3)将反应液缓慢倒入事先用去离子水制备得到的400ml冰中，加入3ml浓度为30%的H2O2。

4)淬火完毕后，使用300nm滤筛和300nm滤布对溶液进行过滤。过滤完毕之后将溶液装入离心管中，装入离心机中以4000转每分钟的速度离心4小时。

5)初次离心完毕后，缓慢取出上层清液，余下的固体材料用200ml去离子水清洗。清洗完毕后再次使用300nm滤筛和300nm滤布对溶液进行过滤，之后同样以4000转每分钟的速度离心4小时。

6)离心完毕后再分别用200ml浓度为30%的盐酸和200ml无水乙醇清洗，每次清洗后同样用300nm滤筛和300nm滤布过滤，之后同样以4000转每分钟的速度离心4小时。

7)离心完成后，用一次性滴管缓慢取出上层清液，将剩余的固体材料用无水乙醇清洗出来，放入超声波清洗器中超声半小时。

         图2。3  超声波清洗过后的棕色溶液

8)将超声波清洗过后的溶液倒入模具中，放入真空烘干炉中以室温干燥24小时，最后得到5。8g氧化石墨样品。

      图2。4  烘干过后得到的氧化石墨样品

2。2。3制备石墨烯的方法