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样品I 第一层 0.39 0.49 0.34 0.41
第三层 0.50 0.45 0.39 0.45
第五层 0.54 0.42 0.44 0.47
样品II 第一层 0.45 0.46 0.52 0.48
第三层 0.55 0.33 0.30 0.40
第五层 0.30 0.37 0.51 0.39
样品III 第一层 0.32 0.38 0.45 0.38
第三层 0.45 0.40 0.46 0.44
第五层 0.49 0.37 0.31 0.39
样品IV 第一层 0.41 0.44 0.49 0.45
第三层 0.39 0.42 0.35 0.39
第五层 0.40 0.50 0.43 0.44
将各电阻平均值拟合如图3.2所示：
图3.2 样品薄膜单层Al电阻平均值示意图
通过图3.2可以发现，镀出的Al膜平均电阻大致都在0.4-0.5Ω之间，电阻值很小，这与纯铝的电阻值相近，在复合薄膜中，可以视为良好的导体。
再用多功能万用表对CuO薄膜层进行电阻测量，测量3次，求取平均值，数据如表3.2所示。
表3.2 样品CuO薄膜各层电阻测量值
第一次测量电阻/KΩ 第一次测量电阻/KΩ 第一次测量电阻/KΩ 单层平均电阻/KΩ 样品平均电阻/KΩ
样品I 第二层 32 38 42 37 34
第四层 29 35 27 30
样品II 第二层 52 51 41 48 46
第四层 40 45 48 44
样品III 第二层 82 86 101 93 97
第四层 95 101 110 102
样品IV 第二层 280 274 298 284 297
第四层 303 300 330 311
将各电阻平均值拟合如图3.3所示：
图3.3 不同样品下CuO薄膜平均电阻示意图
从图3.3中可以看出，在相同镀膜时间下（1号镀膜时间15min，2号30min，3号45min，4号60min）镀出的CuO膜电阻值大致相近，而随镀膜时间的增加，电阻值有所增加，不同镀膜时间下的CuO膜电阻变化曲线图如图3.4所示：
图3.4 不同镀膜时间下样品电阻变化曲线示意图
观察图3.4可以发现，CuO膜层间存在很大的电阻，在KΩ级别以上，甚至达到MΩ级别以上。通过图中还可以观察到，膜电阻随镀膜时间（膜厚度）的增加而增加，且随着镀膜时间（膜厚度）增加，电阻出现大幅度的增加。
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