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为满足LED有机硅封装材料良好的抗UV辐射性能，纳米CeO2是新型高效抗UV辐射的最佳材料之选。韩英[30]在封装材料的研究过程中引入了经钙修饰过的纳米 CeO2，并对其结构和性能进行了分析。然而，试验过程中无机纳米粉体与有机硅树脂的相容性较差，常用的硅烷偶联剂处理纳米粉体的方法存在一些弊端。
为了增加LED的照明时间，提高有机硅的热导率，增强有机硅的耐UV老化性，使用一种高光热稳定性、无毒等性能优良的UV屏蔽剂，也就是纳米ZnO。它对UV有很强的散射和吸收的作用。孙玉萍[31]采用硅烷偶联剂（KH-570）对纳米ZnO与有机硅树脂进行复合，并进行了性能检测。通过大量实验分析得出纳米ZnO的粒径大小对复合材料的介电常数没有很大的影响，但随着纳米ZnO加入量以及粒径的增加，纳米复合材料的UV屏蔽率和热导率都显示出增大的态势；当 w（ZnO）=0.15%、平均粒径为（46±0.4）nm时，纳米复合材料的热导率[为0.649 W/（m•K）]为纯有机硅树脂的1.7倍，适用于大功率LED的封装。
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