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    CuO和Al的粉末在加热时能激烈反应,发生燃烧或爆炸,并放出大量的热。
    3CuO+2Al Al2O3+3Cu
    由文献可得该反应在标态下的 <0, = -288.25 kJ•mol-1<0。从热力学角度来讲,可以自发进行,且反应为放热反应。
    1.2 Al/CuO含能复合膜的研究状况
    1.2.1 国外研究状况
    1.2.2 国内研究状况
    1.3 薄膜材料的制备技术
    薄膜制备技术有很多[13],如气相沉积法、液相生成法、氧化法、扩散与涂布法、电镀法等。其中物理气相沉积技术中的溅射法,已经广泛地应用于金属、合金、半导体、氧化物、碳化物、氮化物、超导薄膜[14]等。其特点如下:
    (1) 任何物质都可以进行溅射,尤其是具有高熔点、低蒸气压的元素和化合物。不管是金属、半导体、绝缘体、化合物和混合物等,只要是固体,都可以作为溅射靶材。
    (2) 溅射制备的薄膜的密度高[15],针孔少,而且薄膜的纯度较高。因为在溅射镀膜过程中,不存在真空蒸镀时无法避免的坩埚的污染。
    (3) 薄膜的厚度可以控制[16],且重复性较好。由于溅射镀膜时的放电电流和靶电流可以分别进行控制,通过控制靶电流即可控制膜厚。所以,溅射镀膜的膜厚可控性和多次溅射的膜厚的再现性较好,能够有效地制备预定厚度的薄膜。
    (4) 溅射的薄膜与基片之间的附着性能好[17]。由于溅射原子的能量比蒸发原子的能量高12个数量级,因此,高能粒子沉积在基片上进行能量转换时产生了较高的热能,增强了溅射原子与基片之间的附着力。在溅射粒子的轰击过程中,基片始终处于等离子区域中被清洗和激活,清除了附着不牢靠的沉积原子,净化且活化了基片的表面,使得溅射的薄膜与基片间的附着力大大增强。
    目前常用的溅射镀膜方法有:利用直流辉光放电的直流(Dc)溅射;利用聚束离子来轰击靶材料的离子束溅射(IBS),利用靶面环状磁场控制辉光放电的磁控溅射。其中的磁控溅射不仅保留了溅射镀膜的优点,而且还具有镀膜速度高的优势,本文选用磁控溅射法制备铜膜。
    1.4  本文的主要研究内容
    本论文将开展以下研究工作:
    (1)    Al/CuO纳米线复合含能材料的制备与表征。
    掌握磁控溅射技术沉积薄膜的工作原理及其制备方法,制备出Al/CuO纳米线复合含能材料,并且采用了电镜实验和    XRD实验对形貌、结构、反应性进行分析和表征。
    (2)    Al/CuO纳米线复合含能芯片的性能研究
    利用掩膜法制备点火桥,并测其在恒压源激励特性下的Al/CuO纳米线复合含能材的电爆性能。
    2  薄膜的制备
    2.1 实验材料和仪器
    2.1.1  靶材
    磁控溅射靶是磁控溅射镀膜设备的核心部件,而溅射靶材又是溅射靶的关键。磁控溅射靶材的特性直接与溅射稳定性和膜层特性相关,靶材利用率直接与镀膜成本相关。
    本实验中采用的金属Cu靶是江西海特材料有限公司生产的,直径为50mm、厚度为4mm的圆形薄片,纯度为99.99%。
    本实验中采用的Ti靶是北京稀蒙钛工贸中心生产的,直径为50mm、厚度为3mm的圆形薄片,纯度为99.99%。
    2.1.2  基片
    本实验选用单面抛光硅片作为基片,其中硅片是100面n型21x21mm寸硅。基片浸在酒精和氟化氢溶液中存放。用之前如果不清洗干净,会影响沉积薄膜的质量和附着强度,使沉积的薄膜容易剥离。因此,镀膜前需对其表面进行清洗。具体清洗步骤如下:
    (a)用体积比例为3:1的硫酸和双氧水溶液超声清洗至没有气泡为止;
    (b)用去离子水清洗至中性;
    (c)用分析纯丙酮在50℃超声清洗20分钟;
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