底排弹综合参数测试系统设计+电路图+PCB图(3)
(1)5路模拟通道信号具体设计指标:底排弹膛内过载（底排弹飞行的X轴加速度、Y轴加速度、Z轴加速度）、底排弹弹底温度、压力5路模拟量的采集存储，过载采样率为100K，温度、压力采样频率1KHz;通道信号的采样精度为12位。
(2)采集精度和阻抗要求：
采编器幅度采集精度:优于满量程的1%;
采编器时标要求:5路模拟信号的时间轴一样;
采编器定时精度:优于0.5%;
(3)其它相关的系统技术指标和要求:
①测试系统搭建完成后，能够保证所测试的数据的准确性和真实性；系统重复上电时，可以保证新的测试数据不被之前的测试数据所掩盖；断电后，能够较长时间保存之前测试的数据，便于日后的分析;
②工作电源要求:外部电池供电，电压9V士10%;
③电磁兼容能力:满足GJB151, GJB152规定的相关要求;
④输入信号的电压:5V、-5V、10V、3.3、REF3.3V
⑤输入端阻抗不小于1KΩ;
⑥记录时长120s:
⑦最大记录容量16M;
⑧持续10ms的10000g的正向过载，40-70g横向过载;
⑨工作环境温度:-40℃～50℃;
⑩通过串口实现数据传输;
2.1.2系统主控单元及相关接口
根据上述的技术指标及要求，本次设计采用STM32系列的STM32F103RCT6微控制器作为主要控制单元，芯片所需功率和成本较低，但功能多样，自身带有时钟功能还支持电源管理和复位功能。STM32还提供官方的函数库，在实际的功能编程中，无需用户在自行编码，可大大加快系统程序的设计和开发速度。并且该芯片也提供了非常多的外设模块，主要包括：（1）内核：
ARM 32位Cortex™-M3 CPU：最高工作频率72MHz，1.25DMIPS/MHz；单周期乘法和硬件除法。
（2）存储器：
片上集成32到512K的Flash存储器；6到64K的SRAM存储器。
（3）时钟，复位和电源管理：
2.0到3.6V的电源供电和I/O接口的驱动电压；
POR，PDR和可编程的电压探测器（PVD）；
4到16MHz的晶振，内嵌出厂前调校的8MHz RC振荡电路；内部40KHz的RC振荡电路；
用于CPU时钟的PLL；带校准用于RTC的32KHz的晶振。
（4）低功耗：
三种低功耗模式：休眠，停止和待机模式；
为RTC和备份寄存器供电的VBAT。
（5）2个12位的us级的A./D转换器（16通道）：
A/D测量范围：0到3.6V；双采样和保持能力；
片上集成一个温度传感器。
（6）DMA：
12通道DMA控制器；
支持的外设：定时器，ADC，DAC，I2S，SPI，I2C和USART。
最多高达112个的快速I/O端口；根据型号的不同，有26，37，51，80和112的I/O端口，所有的都可以映射到16个外部中断向量；
除了模拟输入，所有的都可以接受5V以内的输入。
（7）调试模式：
串行调试（SWD）和JTAG接口。
（8）多达11个定时器：
4个16位定时器，每个定时器有4个IC/OC/PWM或者脉冲计数器；
2个16位的6通道高级控制定时器：最多6个通道可用于PWM输出；
2个看门狗定时器（独立看门狗和窗口看门狗）；
SysTick定时器：24位倒计数器；2个16位基本定时器，用于驱动DAC。