一个新技术的出现有其好处必也有其弊端，好处不必说，良好的热性能，尺 寸相对的小，电性能更加的优良，I/O 密度高，以及可靠性大和更容易被制造。 但从不好的方面来看，因为是微电子，所以它的焊点之间的距离小、封装的密度 高、基底和芯片热膨胀系数容易失配，热疲劳损伤的问题就会比较多，产生内部 缺陷，有了内部缺陷就要去检测。在封装过程中常见的内部缺陷有：焊球脱开、 短路、虚焊、缺失之类的。我们把它检测出来，然后再找到更好的方法去改进他。 

    要大规模的做集成电路要求很多，既要求芯片轻、薄、短、小, 还要芯片增 加信号的输入/ 输出引脚数目, 在这种情况下制造芯片时就会变得更困难，而现 代科技需求的增加使得要发展新的封装技术。就是这样近几年倒装焊芯片技术开 始发展了起来，它是一种全新的封装技术，因为我们要的就是增加引脚数，它能 够充分的利用芯片电路所占的面积来达到这个目的。 

1。2 封装技术 

倒装芯片是和传统金属线键合连接方式（Wire Bonding）以及植球后的工艺 比较下来，由于它与传统不同的连接方式而命名的。倒装芯片技术的过程很简单， 首先在铜板上沉积锡铅球，然后，加热芯片，再把它翻过来，由于是加热过的， 之前沉积的锡铅球就会融化，然后把它直接面朝下，连接上基底、电路板等，所 以又叫直接芯片键合技术。它和传统的微电子互连技术是有很大区别的，芯片是 用金属线键合与基板连接，芯片的电气面向上（图 1。1），反过来和着基板贴合， 而倒装芯片技术是相反的，它是有源区面向下的，也就是把电气面向下（图 1。2）， 也就是将整个芯片翻过来，故称其为“倒装芯片”。在圆片（Wafer） 上植球， 把它翻过来，送入贴片机，贴装起来就比较方便，而这一个翻过来的过程，就被 称之为“倒装芯片”。 

 引线封装技术  倒装芯片封装技术 

倒装芯片的封装过程主要是先在芯片上做出焊点，然后把芯片倒转过来，加 热后和基底对准键合在一起，最后把填充物放在芯片和基底之间，那是一种绝缘 物质，是用来抵消芯片和基底之间因为热膨胀系数没有相配而出现的应力,从而 可以实现防止产生缺陷。 

因为有了倒装芯片技术，集成电路的封装密度变得更加的小，而且由于它的 整体结构的变化，使得它传统的引线键合技术比较起来它有了更好的散热性能，

结温性能较低，I/O 端口的密度更高，封装尺寸更是变得微小，这些优点也使得 它的运用更加的广范。 

1964 年，倒装芯片是开始出现的，1969 年，IBM 发明了倒装芯片的 C4 工艺

（Controlled Collapse Chip Connection， 可控坍塌芯片联接）。过去它的使 用很少，但近几年来，倒装芯片作为一种高性能封装的互连方法在各个技术领域 都普遍的开始使用，它的发展变得更加的迅速。它的应用现在也特别得多，主要 在 Wi- Fi、SiP、MCM、图像传感器、微处理器、硬盘驱动器，以及 RFID 等方面。 

 倒装芯片中是有焊球的，这些凸起的焊球导致了封装的时候不能够密封起 来，还会要使用刚性凸点。从这里就可以看出来，倒装芯片的方法和传统采用引 线键合连接芯片和基板的方法是不同的。以前的 C4 都是在陶瓷基板(CTE 为 7ppm) 上和芯片(热膨胀系数，即 CTE 约为 2．3-2．8ppm)一起组装的。这样子的话需 要在这两者中间加一些填充物，来解决芯片和基板中间，在功率与热循环的时候 出现的 CTE 失配，但是不能够让它保持干燥。CTE 失配的话可能会让芯片断裂， 因为失配会让芯片和基板发生膨胀和收缩的情况，而且发生的速度不一。