1。3电子封装的发展历程和趋势

第三阶段；从九十年代到至今，在这个时间段，电子封装技术有了一次飞跃的发展。例如；塑料四边扁平封装通过缩短引线间距来达到极限工艺技术间距，但是还是没有达到预期的结果，此时焊球阵列封装的出现让这一切问题迎刃而解。文献综述

1。4 CSP封装简介

1。5 CSP封装的分类

根据目前CSP的发展情况，CSP封装的主要有以下几种： 

（1）柔性基板封装，这类封装由Tessera公司产生。它的基本结构构造如图1-2，侧面结构构造如图1-3。整体结构分为IC 芯片、载带（ 柔性体 ）、粘接层、凸点。载带的主要材料是铜箔合金以及聚酰亚胺。从它的焊接方式上和原来TAB没有改变，主要是它的性能、制造工艺、整体构造以及使用性能更加的符合生活中高效、方便等等的要求。

图1-2  FPBGA的基本结构图1-3 FPBGA的截面结构

(2) 刚性基板封装。这类封装由Toshiba公司产生。它的制造材料主要材料是陶瓷，它的结构超薄。其结构组成如图1-4。整体结构分为芯片、氧化物基板（氧化铝）、凸点（铜）、以及高聚物（树脂）等等。主要的工艺路线是首先是采用倒装焊进行焊接，接着用树脂进行填充，最后打印。这种封装的使用效率接近80%左右。和等尺寸的TQFP相比，前者的使用效率是后者的2。5倍左右。

图1-4  CSTP的基本结构

（3）引线框架式 CSP 封装。它是由Fujitsu 公司研制。它的结构的独特之处是:芯片和引线连接。一般情况常分为 Tape-LOC 型和 MF-LOC 型(Mul-ti-frame-LOC)这两种类型。 其基本结构如图 4 所示，这种封装的主要特点是这种封装没有焊料凸点，但是它能让芯片和外部连接，是因为这种封装的引线框架上有芯片，引线框架的主要的作用是外线引脚。

(a)Tape-LOC型（b）MF - LOC 型

图1-5 LOC 型CSP的基本结构

（4）焊区阵列 CSP。这种封装是由日本Panasoni公司研制的，由于它的结构特性同样被称为 LGA (Land Grid Array) 型 CSP, 其结构的组成要素为LSI 芯片、载体（主要是和陶瓷相关的）、环氧树脂（主要的作用是填充）和导电粘结剂等．产生其封装的主要的工艺过程是：首先要在焊接区产生Au 凸点, 接着焊接时采用倒装焊, 制作导电胶,对凸点进行加压处理以及对导电胶进行固化,最终实现 芯片与基板的连接。导电胶的主要组成成分是 Pd-Ag 和一些高聚物(环氧树脂)。由于它的弹性性能好, 由此,在所承受的应力范围内，不会失效。表 1-1 示出了其材料结构与一些基本参数。

表1-1  LGA 型 CSP 的材料结构及基本参数来,自,优.尔:论;文*网www.youerw.com +QQ752018766-

项目                                          批量生产规格

芯片厚度/mm                                                       0。3 ~0。5

芯片焊区间距（最小）/μm                                            120

芯片焊区尺寸（最小）/μm                                           92×92

焊区材料                                                            Al