2。平面E型非接触变压器的参数预测建模

2。1磁阻计算基本公式介绍

主要和泄漏磁阻计算公式R=l/（μ0*Ae），其中l和A都是通量管的平均值[12]。

2。2平面E型非接触变压器的磁路模型

为了简化分析，一些假设如下：

i）磁芯磁阻被忽略，因为它远小于间隙磁阻。ii）初级和次级线圈匝相等，即Np=Ns=N。iii）次级侧的绕组是开路的。

图2。1。基本磁路模型简化图文献综述

如图2。1所示，主磁阻Rm由Rg间隙磁阻组成，Rσ是初级侧的泄漏磁阻。然后得到激磁电感，漏感和耦合系数为如下所示：

如上所示，可以观察得到电参数与线圈匝数、主磁阻和泄漏磁阻相关。我们知道，传统变压器的几乎所有的磁通都被限制在磁芯中，而大量的磁通从磁芯散落到间隙周围的空间。根据耦合特性，整个通量区域可以分成几个区域，如下图所示。

图2。2。磁通区域的划分

1）由所有次级线圈耦合的完全耦合的主磁通Φmf。可以看出，穿过区域1（黄色矩形），区域2（褐色半圆）和区域3（绿色圆形环）的通量属于全耦合通量Φmf。

2）部分耦合的主磁通Φmp仅由次级线圈的一部分耦合。通过区域4（灰色的三角形）和区域5（红色的三角形）的通量属于部分耦合通量Φmp。

3）通过由所有初级线圈耦合的区域6（绿色的三角形）的完全耦合漏磁通Φσf。穿过由初级线圈的一部分耦合的区域7（紫色矩形）的部分耦合漏磁通Φσp。