摘要本文首先对透射式GaAs光电阴极的光学性质进行了理论研究，在薄膜光学矩阵理论的基础上，推导了玻璃基底、Si3N4增透层、Ga1-xAlxAs窗口层和GaAs发射层四层膜系统的透射式GaAs光电阴极的反射率和透射率的表达式，建立了透射式GaAs光电阴极的光学性质理论模型。然后在透射式GaAs光电阴极光学性质理论模型的基础上，使用MATLAB软件以及其GUI功能研制了透射式GaAs光电阴极组件光学性质拟合软件。最后使用软件拟合了MBE和MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极样品的理论参数值，并进行光电阴极结构的评价与比较。80430

毕业论文关键词  MBE  MOCVD  透射式GaAs光电阴极  光学性质

毕业设计说明书外文摘要

Title  Structural evaluation of transmission-mode GaAs photocathodes grown by MBE and MOCVD                                     

Abstract Firstly researches on optical properties of transmission-mode GaAs photocathodes are done。Based on thin film optical matrix theory,the reflectivity and transmmisivity of transmission-mode GaAs photocathodes which are structured of glass substrate,Si3N4 transmission enhanced layer,Ga1-xAlxAs window layer and GaAs emissive layer。Then based on the theory model of transmission-mode GaAs photocathodes,a software to fit optical properties of transmission-mode GaAs photocathodes is developed by using MATLAB and its GUI function。Finally the theoretical parameter values of transmission-mode GaAs photocathodes grown by MBE and MOCVD and do evaluation and comparison of them。

Keywords  MBE  MOCVD  transmission-mode GaAs photocathodes  optical properties

目   次

1  引言 2

1。1  负电子亲和势光电阴极发展概述 2

1。2  国内外GaAs光电阴极性质现状 2

1。3  透射式GaAs光电阴极研究基础 3

1。4  本文研究背景意义及本文主要工作 3

2  透射式GaAs光电阴极组件光学性质理论研究 5

2。1 引言 5

2。2  透射式GaAs光电阴极光学性质的理论研究 5

2。3 本章小结 8

3  透射式GaAs光电阴极组件光学性质拟合软件研制 9

3。1  引言 9

3。2  透射式GaAs光电阴极光学性质拟合软件 9

4  MBE和MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极的结构评价 13

4。1  引言 13

4。2  透射式GaAs光电阴极组件结构 13

4。3  MBE生长的透射式GaAs光电阴极组件光学性质研究 13

4。4  MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极组件光学性质研究 22

4。5  MBE和MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极光学性质的比较 25

结  论 26

致  谢 27

参 考 文 献 28

1  引言

1。1  负电子亲和势光电阴极发展概述

光电阴极作为一种光电发射材料，其发明与发展都是以外光电效应为理论基础的[1-3]，所为光电阴极，也就是将光信号转变为电信号的一类原件。1912年，在Koller和Compbell的研究之下，Ag-O-Cs(S-1)这类光电阴极被研制了出来，这种光电阴极对于肉眼可见光以及近红外区域灵敏，具有独特的近红外光谱响应。