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周彬等人利用瞬态抑制二极管(TVS)的瞬态电压抑制功能对SCB火工品脚壳之间静电放电保护特性进行了研究。将二极管并联在SCB的脚壳之间，按GJB736.11-90进行静电放电试验。静电电压加载时，在纳秒级时间内TVS管就产生开关转换，从断态转换到通态，使静电从保护通道泄放[31]。试验结果表明：并联TVS管能够防止静电在SCB火工品的脚壳间产生击穿，对SCB火工品脚壳之间静电放电能起到有效的保护作用。
陈飞等人[32]对SCB火工品脚-脚间静电放电机理进行了研究。通过静电实验、扫描电镜X射线能谱分析和发火实验，研究了SCB的电响应特性，测试了其电爆特性。实验结果表明：低于25kV时桥区表明损伤不明显，但部分沾药剂样品发火；25kV时桥区V形尖角开始损坏。静电实验后，发火时间及发火能量明显减小。25kV是桥区损坏的临界电压。当低于25kV时，电能量只能使多晶硅熔化，25kV时产生的温度达到桥区汽化点而产生等离子体。
曹玉武等人[33]对pn结型半导体桥结构、电爆性能及安全性能做了初步研究。实验结果表明：结型桥在预定电压电容下能够可靠发火，放电电压低于击穿电压时，电路中的电流几乎为零，结型桥展现出了良好的直流封堵特性；在静电作用下结型半导体桥的性能未发生变化，表明结型半导体桥对静电及杂散电流具有良好的防护能力。
叶林等人[34]对NTC热敏电阻用于半导体桥火工品射频加固技术做了研究。NTC热敏电阻具有负温度系数特性，实验时将NTC热敏电阻紧贴在陶瓷塞的下端面，与半导体桥并联。当半导体桥受到电磁能量作用时，半导体桥和陶瓷塞的温度会逐渐升高。而当温度上升到一定值时，热敏电阻的阻值会迅速变小，可以分走大量的电流，抑制半导体桥温度进一步升高。当电磁能量过后，热敏电阻又会很快地恢复原来的高电阻状态，不影响半导体桥的正常作用。1A1W5min实验和射频注入实验表明热敏电阻能够对半导体桥火工品起射频加固作用。电容放电发火实验表明并联热敏电阻的半导体桥可以正常发火，不影响火工品的正常作用。