10多年以来，微波倍频器的发展特别迅速，由最初的非线性变阻二极管倍频器进化到变容二极管、阶跃管和雪崩管倍频器等等，又由双极晶体管倍频器变为单栅和双栅微波场效应管（FET）倍频器，当倍频的次数比较小时，可以用变容管、晶体三极管及FET 的方法来实现倍频。变容管倍频效率比较低，可是电路相对而言比较简单，成本也很低，容易实现；当倍频次数比较高时，优先采用阶跃恢复二极管来倍频会比较好，可是电路复杂，电路稳定性不高。在实现整数倍频时，我们选择两端非线性电阻，能达到的最高倍频效率是 。在三端非线性电阻微波倍频器中，把输出电路调谐到输入频率的n次谐波时，就可以实现倍频，并且有较好的增益。理论上，非线性电抗贮能器件没有损耗，最高理论倍频效率为100％。因为只要使用市面上可以买到的单片集成放大器加上其他的外围器件，我们就可以实现比较简单的仿真设计，调试简单。因此目前的微波倍频器我们一般选择微波集成技术，而功率放大方面我们使用小型的商品化单片放大器，通过CAD技术，也就是利用图形设备和计算机辅助设计工作，对带通滤波器进行优化设计，再补充一个隔离器，这样就减少了因为负载效应的存在而影响了微波倍频器列举一些实现倍频器的实例：63604

J.W.Archer采用双管结构的二倍频器在l05GHz得到26mw的输出功率[3]。

Andrey等采用HEMT管设计的二倍频器，在输出频率为6-12GHz范围内，变频增益大于3dB，对基波和奇次谐波的抑制大于25dB，其电路是共面结构，且电路简单[4]。

Wandel等采用肖特基势垒二极管，设计出平面巴伦结构的二倍频器，在输出频率为6-18GHz的范围内，变频损耗为9.5±1dB，此时输入功率为20dBm[5]。

南京电子器件研究所研制的Ku波段倍频放大组件。输入信号采用FET二倍频器，经过PIN二极管调制器，最终由Ku波段栅控脉冲功率放大器输出。在2fo  0.3 (f0=8.25 GHz)范围内，脉宽l0us，占空比10%，脉冲输出功率大于0.5 W，脉冲前后沿小于20ns，隔离度大于50dB。论文网

空军工程大学 朱志勇研制的FET Ku波段五倍频器在输入频率2.5GHz，输入功率12dBm时得到12.5GHz的2.1dBm的输出功率[7]。

电子科技大学的严中等使用GaAs三级二倍频链路研发了中心频率为1.25GHz，输入功率为0dBm时输出功率达到9dBm的六倍频器[6]。

电子科技大学研制的“Ka频段倍频器、功率放大器组件”由微带传输线和HMMC 5040 HEMT芯片组成。其输入频率:13.25-20GHz，输出频率26.5-40GHz;输入功率9.5dBm，输出功率8.5-11dBm(输入频率13.25-18GHz)，5.8-7.8dBm(输入频率18-20GHz)。

北京理工大学的李殷乔设计的MESFET四倍频器，当输入频率为4GHz，若输入功率10dBm时，输出功率为-1.74dBm[8]。

河北半导体研究所采用PHEMT技术研制出了ka波段的MMIC四倍频器，输入频率范围为13.0-18.O GHz，输出频率范围为26.0-32.OGHz ,10dBm功率输入时输出功率大约为5-14 dBm.