如可见光CCD摄像机或类似的器件一样，只要提高了成像系统的分辨率和目标识别的准确性，就可以极大地提升系统的焦平面红外检测像素的整合。各家公司生产商正试图增加在焦平面阵列的像数数目，使得各种大型或超大型格式的红外焦平面阵列正在高速发展。 65161

1 ~ 3微米的红外短波焦平面阵列（SWIR），由于世界的研究多年来都在中波红外（MWIR）和长波红外（LWIR）带，因此短波红外焦平面阵列技术的发展一直被忽视，但因为这个波段中的许多应用是不可能小看的，因此近年来我们加速发展了短波红外焦平面阵列技术，现在其发展的投入已达到4000000元。

InGaAs红外焦平面阵列：虽然短波红外热成像达到工作要求的候选材料有低温冷却特性，而且和碲镉汞衬底有失配率，暗电流也大。就只有In0.53Ga0.47As与InP晶格的相同的暗电流密度有恒定的低温。在光响应的峰值在0.9～1.7微米到达到非制冷红外焦平面阵列中，多年来都得到光纤通信的工业应用，使得它已具备批量生产的能力。因此，几年来，我们越来越多地关注在传感器上。美国某一责任公司加快发展的一种非制冷红外焦平面阵列和摄像技术，它的阵列的大小已达到320×240。

碲镉汞阵列：由于军事目的应用需要，在过去这种材料的IRFPA技术发展主要集中在中波和长波红外应用，但罗克韦尔国际科学中心已经开发出能工作在一到三微米带的碲镉汞材料，其主要目的是天文学和夜间军事。在90年代中期，国外已经产生了hqwaⅡ- 1型的1024×1024元件阵列，以及世界上最大的hqwaⅡ- 2型2048×2048元件阵列，该中心计划建立一个大型的4096×4096元件阵列。

3 ~ 5μM中波红外IRFPA阵列：该阵列在红外焦平面阵列的发展中一直是增长最快的。这个主要是PtSi焦平面，InSb、HgCdTe三种，其阵列的大小已达到2048的平方（其生产价值已经达到4000000元）。论文网

PtSi器件：该形成了一个庞大的生产规模，典型的阵列有640×480等。柯达新的产品竟有1968×1968元，其阵列的生产规模也达到了4000000元一年。PtSi器件与碲镉汞焦平面阵列都是红外焦平面阵列整合的结果。最值得注意的是，罗克韦尔国际科学中心在这方面的发展是世界的领导者。除了640×480和1024×1024元阵列外，该中心最近已准备提供2048×2048元阵列给客户，并利用拼接技术，生产4096平方的元阵列，且工作在77K温度下。

InSb阵列：这是一个很被看好的红外阵列器件，它主要是在低背景中得到应用，该阵列大小达到1024×1024元。此外还有640×480和640×512阵列，所有的这些都是现在很典型的阵列。

在长波段的IRFPA中，多量子阱阵列的分布主要集中在HgCdTe和GaAlAs／GaAs中，此外还有SiGe异质结构，非制冷IRFPA等。碲镉汞阵列发展近年来一直比较缓慢，发展快的主要是GaAlAs／GaAs量子阱的技术和非制冷红外焦平面阵列技术，它已有640×480的阵列规模。

碲镉汞的IRFPA技术，这种材料的电性能发展进度比较慢。而长波HgCdTe焦平面阵列的阵列大小只有256×256。

GaAlAs／GaAs阵列是近年来增长最快的，许多国家的研究公司和组织，如美国的罗克韦尔国际科学中心、洛拉希德-马丁研究室、雷神研究室、喷气推进实验室和美国空军研究实验室，日本三菱公司等。瑞典，加拿大，以色列和许多国家的公司竞相发展的研究，使得目前阵列的大小已达到640×484元，被评为1024×1024元的横向整合四色阵列。

GeSi／Si异质结红外焦平面阵列：PtSi阵列的工作原理类似于它。对于GeSi／Si ，MBE，InSb、InGaAs和GaAlAs的先进生产技术来说，高性能的大型发展不是问题。麻省理工学院已经产生了320×240的阵列元，林肯实验室研究出来的阵元大小已达到512×512，但当前GeSi／Si阵列的温度肯定是比77K要低的。