随着LC VCO研究的不断深化，很多具有深远影响的噪声理论也随之诞生，最突出的有振荡器相位噪声产生机制和计算理论[7]，这些先进的成果为降低相位噪声的研究提供了方向上的指引。在假设振荡器在单个噪声源的情况下，计算相位噪声特性的方法主要有两种：第一种，由拉扎维等人提出的相位噪声理论[10]，他们的方法是将振荡器看做一个线性时不变系统，将噪声信号用正弦电压信号替代，然后注入到电路中的电压节点上；第二种，阿里·海吉明等人提出不同的方法[11]，即在线性相位时变系统的假设基础上，将噪声源用一个冲击电流源等效，再观察其输出相位的响应函数。两种方法各有优缺，拉扎维的方法在频偏较大的频率上的计算相对准确，但在偏较小的特性区域就不适用；阿里·海吉明的方法采用了谐波的互相混频调制的方法，在整个频率区域上都能比较准确。

近年来，工程师们对压控振荡器相位噪声产生的物理机制已经有了足够的认识，并提出了各种各样的降低相位噪声的方法，其中两个比较有代表性的技术——噪声滤波技术[11]和闪烁噪声减弱技术[13]。正是由于新的技术的出现，使CMOS工艺的片上压控振荡器的相位噪声得到很大改善，可以与双极工艺相当，甚至能够媲美分立器件。