目前，国际上以美国 ITT 公司为代表的国际制备光电阴极的先进技术，已经可以制备灵 敏度在 1500μA。lm-1,以上，电子扩散长度在 3-7μm，积分灵敏度平均可达 1800μA。lm-1,尤其 在制备结构较为简单的反射式 GaAs 光电阴极研究和制备方面，目前最高的积分灵敏度已达 3200μA。lm-1。 74303

由于光电阴极在像增强器、夜视和微光探测等军事领域是核心器件，所以国外对光电阴 极的制备和设计工艺是保密的，同时我国对光电阴极的材料制备工艺不够完善，对它的研究 起步较晚，这就导致了国内光电阴极的发展较为缓慢。从二十世纪九十年代中期，我国各大

高校和科研院所研制出了均匀掺杂和梯度掺杂的反射式光电阴极，在发射式光电阴极方面， 其积分灵敏度可以发到 1798μA。lm-1论文网，并且研制成功了积分灵敏度为 1500μA。lm-1 的透射式

光电阴极。到目前为止，我国各个研究机构制备的高性能 GaAs 光电阴极的平均积分灵敏度已经可以达到 2000μA。lm-1[9-13]。 

为了对比我国制备的 GaAs 光电阴极和国际上先进技术制备 GaAs 光电阴极之间的性能差 异，将可查的在 GaAs 光电阴极制备和研究方面处于领先地位的美国 ITT 公司、俄罗斯制备 的光电阴极和国内目前制备的性能优良的 GaAs 光电阴极的光谱响应特性参数和性能参量[15] 进行比较。对应的参数如表 1。1 和表 1。2 所示。

表 1。1 透射式 GaAs 光电阴极光谱特性参数比较

阴极 起始波长 (nm) 截止波长 (nm) 峰值响应 (mA/w) 峰值位置 (nm) 积分灵敏度 (μA/lm) 

美国 ITT 440 915 277。7 840 2330 

俄罗斯 460 930 200。5 820 1670 

中国 450 935 138。0 810 1070 

表 2 透射式 GaAs 光电阴极性能参量比较

阴极 表面电子逸出 几率 电子扩散长度 

(μm) 后界面复合速率 (cm/s) 

美国 ITT 0。53 3-7 100-104 

中国 0。47 1。5 106 

从表 1。1 和表 1。2 可以看出，目前国内制备的高性能透射式 GaAs 光电阴极的特性参数， 例如：表面电子逸出几率、光电阴极的积分灵敏度和电子扩散长度[14]等特性参数相对于国际 先进的制备水平，例如美国的 ITT 公司，都要低很多。而国际顶尖技术制备的高性能透射式 GaAs 光电阴极的后界面复合速率为 100-104，相比国内制备的后界面复合速率为 106，小两个 数量级，说明了就目前的数据来看，国外顶尖技术研究和制备的透射式 GaAs 光电阴极比我 国研究和制备的透射式 GaAs 光电阴极在各个方面都要优良。就目前我国在透射式 GaAs 光电 阴极的研究方面来看，国内的研究机构虽然可以制备出性能较为优良的透射式 GaAs 光电阴 极，但是在同国际先进的制备基础相比较，在光电阴极的光谱响应、量子效率、积分灵敏度 等方面都有非常大的差距存在。造成我国在光电阴极制造落后于国际一线水平的主要是我们 的在理论研究和阴极材料制备方面都和先进水平有不少的差距