CMOS和CCD传感技术的概念首次是在20世纪60年代被人提出来，并慢慢开始在图像传感器中应用[1]。1967年，美国航空航天局的喷气推进实验室诞生了世界上第一块CMOS图像传感器。与此同时，CCD图像传感器也起步发展。但CMOS图像传感器并没有被广泛的使用，因为CMOS与CCD相比较，CMOS图像传感器的尺寸大而且性能不稳定。所以在60年代到90年代之间，CCD图像传感器在传感器市场中占据了主体地位。直到90年代后，这个状况才被改变。 81685

2000年，Foveon公司和NI公司一起研制成功了高分辨率的CMOS图像传感器，这款CMOS图像传感器采用了0。18um CMOS工艺研制，分辨率高达4096×4096，像素单元大小为5um×5um[2]。

2003年，美光公司研制出了首款百万像素的CMOS传感器MI-1300。2007年，美光公司又推出了一款分辨率高达2592×1944的CMOS图像传感器，该传感器像素尺寸为2um×2um。

2010年，OmniVision成功研制出了第二代背照式技术传感器OmniBSI-2，该传感器的象素尺寸仅为l。lum，甚至还可以将这一数值缩小到0。9um，以提供更出色的成像质量。

2016年，安森半导体研制出了基于 SuperPD PDAF 技术的新型的高性能的CMOS数字图像传感器AR1337。该传感器的光学尺寸为1/3。2英寸，采用的是背照式技术，分辨率高达4208×3120，主要是针对市场上的电子消费品，如智能手机、平板电脑等。

(1)国外CMOS图像传感器研究现状

随着工艺技术的快速发展，CMOS 图像传感器的使用也越来越广泛，当前国外有很多公司都在CMOS技术上有所发展。

美光公司于2005年8月推出一款130 万像素的 CMOS 传感器 MT9M112，该传感器的光学尺寸仅为 1/4 英寸，且具备高级图像处理功能[3]。2007 年 3 月，该公司又推出一款500 万像素的CMOS传感器 MT9P401，该传感器的光学尺寸仅为 1/2。5 英寸，且支持高帧速拍摄 720 P 的高清视频，同时其拍摄静态图像的能力高达15 f/s。同时也推出 1/2。5 英寸的800万像素CMOS传感器MT9E001。

意法半导体有限公司于2008年2月研制出一款名为VD6725 CMOS传感器，该传感器的光学尺寸为1/5 英寸，有效像素高达192万，采用了 1。75 μm 的像素设计[4]。

美国豪威公司（OmniVision）于 2005 年 8 月推出一款 1/6 英寸 VGA CMOS 图像传感器 OV7670。为了减小模块的高度，该传感器的像素尺寸仅为3。6 μm。2007年2月，该公司又研制出一款名为OV7680的VGA CMOS 传感器。该传感器的大小为1/10英寸，且有着低噪声、低成本、低功耗和宽动态范围等特点。论文网

美国 Foveon 公司于 2003 年推出了产品代号分别为 F7X3 -C9110，F19X3 -A50 的全色 CMOS 图像传感器。F7X3-C9110 传感器有着高达343万的有效像素，且具有超功耗小、低噪小和抗干扰能力强等优点[5]。F19X3-A50 在此基础上还增加了12位的 A/D 转换器和高度集成的数字处理器。

比利时大学微电子中心是全球范围内很出名的半导体开发中心之一，它具有多种尺寸的一系列全套数字CMOS传感器工艺，并支持与数字CMOS配套的可选模块。1997年采用0。5μm工艺研制出2048×2048像元CMOS有源像素传感器 （CMOS -APS），像元尺寸为 7。5 μm ×7。5 μm，芯片尺寸为16。3 mm×16。3 mm，噪声为 0。25 mV（均方根值），量子效率值为4% >QE >2%（400～85nm），功耗为100mW，这是当时所报道的最大像元CMOS-APS。

(2)国内CMOS图像传感器研究现状

与国外的研究相比，国内在CMOS领域的研究比国外要晚一些。为了发展国内的CMOS图像传感器技术，国内也有很多机构在积极开展相关的工作。其中比较出名的有西安交通大学、北京思比科微电子公司、格科微电子有限公司，且在近几年也已经取得了较大的进展。