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1.1 铂电阻温度传感器特性及其参数
英国物理学家/工程师 Hugh Longbourne Callendar 给出了关于铂的电阻/温度内插公式，在其中0℃<t 850℃时，则
Rt=R0(1+At+Bt2), t （0，850] (1-1)
1925年，MS.Van Dusen考虑到关于在0℃以下铂的非线性问题，于是在上述公式中加入了修正项，它被称之为Callendar—Van Dusen方程，其中-200℃ t 0℃，则
Rt=R0(1+At+Bt2+C（t-100）t3），t [-200,0] (1-2)
由式（1-2）变化可以得到
f(t)=t4-100t3+ t2+ t+ （1- ） （1-3）
在上述的方程式中，Rt在温度为t℃时的铂电阻的电阻值为Rt，R0为在0℃时的铂电阻的电阻值（100Ω），并且根据ITS-90/IEC优尔（a=0.0038505）标准，在方程中的常系数分别为
A=3.9083×10-3,B=-5.775×10-7,C=-4.183×10-12
2． 铂电阻测温电路设计
为了研究铂电阻的温度传感器特性方程求解的程序，此文选择使用AT89C51单片机为核心处理器，我们采用的是基于PT100铂电阻温度传感器和高精度A/D转换器MCP3421所设计的测温系统电路的设计。PT100的传感器的两端S+与S-所输出的模拟电压经由高精度A/D转换器MCP3421进行A/D转换，转换所得到的模拟电压的值可以换算为铂电阻的电阻值，由此再可以根据电阻值求解的特性方程得出所测量的温度值，再由LGM12641BSIR显示芯片显示出来。
2.1 AT89C51单片机
AT89C51是一种带4K字节可闪烁可编程可擦除的只读存储器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低电压，具有比较高性能的CMOS8位微处理器，一般被我们称之为单片机。如下图1所示，具有比较高性能的CMOS8位微处理器所采用的是ATMEL高密度并且是采用的非易失存储器制造技术所制造的，正因为比较一体化的制作流程使其与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚是互相兼容的。由于将多功能的8位CPU和闪烁存储器组合在其单个芯片中，从而使得拥有ATMEL的AT89C51成为一种需求量较大的高效微控制器，正因为这一点的存在使得很多的嵌入式控制系统有了更多成本更低，设计灵活度更高的方案。
1 AT89C51与AT89C2051单片机
1）.主要特性：
与MCS-51 兼容
4K字节可编程闪烁存储器
寿命：1000写/擦循环
数据保留时间：10年
全静态工作：0Hz-24Hz
128*8位内部RAM
32可编程I/O线
两个16位定时器/计数器
5个中断源
可编程串行通道
低功耗的闲置和掉电模式
片内振荡器和时钟电路
2）．管脚说明：
VCC：供电电压。
GND：接地。
P0口：P0口为一个8位漏级开路双向I/O的接口，可使得每脚吸收8TTL门电流。系统将其识别为高电阻的即为高阻输入的时候，P1的管脚口需要成为第一次写入1时。由于P0可以用于外部程序数据的存储器，所以它可以被定义为数据/地址的第八位。
P1口：P1的口说提供的是一个内部可以提供上拉电阻的8位双向I/O接口，与P0不同的是其接收输出的是4TTL门电流。在P1口管脚在写入1后，被内部上拉为高，所以其可用作为输入端口，当P1口被外部下拉成为低电平时，将会输出电流，这是由于其内部上拉电阻的缘故。
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