2.2.2化学气象沉积法

化学气相沉积法制备出来的MoS2具有相当高的结晶质量，而且可以大量生产。其原理主要是让Mo和S蒸气在高温下发生反应，就可以在衬底上生成MoS2薄膜。这种方法的优点在于在尺寸、层数及物理性质控制方面有优势，但是目前的制备工艺还不是太成熟，不过依然是制备二维TMDCs电子及光电子器件的首选合成方法。其缺点在于此方法对化学气相沉积法生长工艺参数更为依赖，控制其初始的成核过程就变得很重要，这些因素与衬底表面状态、气流控制等都密切相关。

2.2.3水热法

目前，水热法的制备原理是在高温和压力下从高压釜中的水溶液中生长单晶层状的MoS2、MoSe2等物质[14]。优点在于得到的材料质量高、 尺寸一般为几纳米到几微米的薄片，较为统一，但缺点就在于并不能控制薄片的厚度，也就无法确定其是否为单原子层。

2.3三硫化钛的预测

一种新的二维（2D）的层状材料，即，钛三硫化物（TiS3）单层，被预测为具有新颖电子性质.从一开始的计算表明完美TiS3单层是具有1.02电子伏特，接近体硅的，和具有高载流子迁移率的直接间隙半导体。完美TiS3单层的预测显示载体迁移率是高度各向异性的。计算得沿y方向的电子迁移率是13.87×103cm2V-1s-1，约为沿x方向的14倍高(1.01×103cm2V-1s-1)，而沿x方向上的空穴迁移率是1.21×103cm2V-1s-1，约为沿y方向迁移率的8倍高（0.15×103cm2V-1s-1）。值得一提的是，预测的载体迁移率是显着高于那些二硫化钼单层片材的（在60~200cm2V-1s-1的范围内）。更需要注意的是，沿y方向上，电子迁移率比空穴迁移率高约100倍，使得y方向为更有利于电子传导。电子/空穴迁移率上巨大的差异可以被用来电子/空穴的分离。

虽然TiS3单层在有发展潜力的纳米电子应用方面显示出了一些新的特性，依靠剥离或机械裂解技术的TiS3单层片隔离的可行性还有待证实。TiS3相对于石墨较为小的裂解凝聚能量，表明体形态TiS3的剥离在实验上应是高度可行的，TiS3更容易脱落。的确，单层TiS3最近已经分离，测量的光学间隙约为1eV，几乎与计算得出的HSE06带隙(一种体形态)1.06eV相同。而TiS3单层的动态和热稳定性是由声子谱计算和波恩 - 奥本海默分子动力学模拟研究。所需的电子性质表明TiS3单层在未来的纳米电子学的应用中是一种很有前途的2D原子层材料。

从历史上看，体形态材料，如石墨，过渡金属硫化物和黑色磷都远远超过他们的二维层状材料零件计数器的研究。同样，体形态TiS3的性质比已知的2D形式要早得多。体形态TiS3具有单斜结晶结构（具有空间群p21m），并且TiS3晶体可以被看作是与各一维薄片层叠平行片构成的三角形TiS3单元。这些片彼此通过范德华力相互作用。我们还已知，具有层叠层结构的材料可以是通过剥离或通过机械切割设计2D原子层的良好前提。事实上，层状TiS3已经被人提出用来剥落。然而，现在对于2D的TiS3片的隔离研究已经很少了，因为缺少关于TiS3单层的特性的知识，例如其优选直接带隙。迄今为止，体形态TiS3一些电和运输测量已经有记录，显示出体形态TiS3是n型半导体，且在室温下的载流子迁移率约为30cm2V-1s-1。迁移率可以在100K的低温下进一步增强至约100cm2V-1s-1。此外，光吸收测量表明体形态TiS3具有约1电子伏特的光学间隙。更重要的是，最近的几次实验表明，一个厚度几百纳米的TiS3色带宏观膜具有约1.1电子伏特的直接带隙，和少数层TiS3纳米带为基础的设备（厚度为10-30纳米），对应于跨越可见光谱的波长，并显示出高达2910A/W的超高光响应。体形态TiS3的适中的带隙再加上相对较高的载流子迁移率显示出体形态TiS3用来隔离2D的TiS3片是一个很不错的前提，而且与纳电子的应用所期望的性能相符合。