复合材料组分相的比例可以在纳米尺度上进行修改和控制，可以在纳米尺度范围内直接研究磁电效应的微观机理；块体材料中相之间的结合是通过共烧或者粘接的方式相结合的，其界面损耗是一个不容忽视的问题，而在薄膜中可实现原子尺度的结合，可以有效降低界面耦合损失；纳米磁电复合薄膜的制备为控制晶格应力、缺陷等方面提供了更大的自由，可获得高度择优取向甚至超晶格复合薄膜，更有利于研究磁电耦合的微观机理；在纳米尺度下研究纳米复合磁电材料，其技术可以很容易地移植到半导体工艺中，用于制造集成磁电器件。

1972年，荷兰Philip实验室的Van Suchtelene与其合作者采用定向凝固的方法原位复合，并将压磁相CoFe2O4与压电相BaTiO3共熔，制备出第一个磁电复合材料系统:即CoFe2O4/BaTiO3多铁性复合系统。这一系统的出现开辟了一条新的探索磁电复合材料之路。钛酸钡和铁酸钴既是无污染材料而且本身具有优良的压电性和磁致伸缩效应，从而BaTiO3/CoFe2O4磁电复合材料具有优越的磁电耦合效应，也是无污染材料，具有优越的磁电耦合效应，故而是进行纳米级磁电复合材料研究的理想体系[25]。