探测和实时跟踪,探测距离可达几十公里。通过电子转移与荧光屏或 CCD 组合可作
为紫外微光电视、紫外告警设备的关键部件,用于紫外微弱图像的可靠探测和导弹告
警。 NEA GaN 光电阴极为冷电子发射,具有量子效率高、暗发射小、发射电子能量
分布集中等独特优点,是满足微弱紫外探测要求的非常理想的新型紫外光电阴极[8,9]。
2006年,美国某光学科技公司 E.James Egerton 等人报道了安装有高量子效率的 GaN
光电阴极的大面积 Si 微通道板阵列在紫外单光子计数器方面的应用,如图 1.4 所示。
该公司制备的Si 微通道板上安装的 GaN光电阴极由 MOCVD生长,具有较好的导电
性,其量子效率可达 40%[7]1.3.2    NEA GaN  光电阴极在真空电子源中应用
NEA GaN 光电阴极的另外一个重要应用领域就是真空电子源。真空电子源要求
在超高真空中工作,多用于如自旋电子学和电子束平版印刷技术等特定领域,是目前
研究者探索的热点之一。对作为电子发射器的光电阴极来说,真空中的稳定性是决定
其能否满足真空电子源工作要求的关键因素。
集成电路的平版印刷生产所需的电子源必须同时具有高的亮度(e.g.>2X106
A/cm2/sr at 50 kV)和低的能量分布(<100 meV)。且在真空系统中能够可靠、稳定的工
作(10 小时内 3%的变化)。而宽禁带半导体 NEA 光电阴极具有前面的大多数特性,  
GaAs 光电阴极可以表现现出很高的亮度,但在密封管子中存在亮度随时间下降,稳
定性差的问题。而 GaN 材料禁带宽,性质稳定,很难长成大的氧化物,难于刻蚀,
比GaAs有较高的热熔点(分解温度为 900℃)。单独用 Cs 即可获得NEA表面的事实
使 GaN 成为制造更加稳定发射器的首要选择。另外,紫外光激发和 GaN 能带隙恰当
匹配,在平版印刷和相关的度量衡应用中能提供微米/亚微米的斑点尺寸。因此量子效
率高、能量分布集中的 NEA GaN光电阴极可在电子束平版印刷暴光中发挥强大作用[4]。
图1.5是斯坦福大学设计的基于NEA光电阴极的无掩模电子束平版印刷曝光装置示意图[4]
,主要由激光二极管阵列和透射式 NEA光电阴极构成。首先一个激光点阵列
被聚焦到透射式NEA GaN 光电阴极的背面,合适选择的光通过蓝宝石和 AlN缓冲层,
在薄的 p 型 GaN 半导体层被吸收,GaN 半导体层就是所谓的激活层。在激活层内,
光电子按照Spicer “三步模型”到达表面。在表面,激活层克服对真空的能量势垒,可
使电子从表面发射。每个被吸收的激光点产生一个细电子束,细电子束可在真空外面
被调制。即系统通过调制的平面激光束产生调制的平面电子束,然后平面电子束经过
聚焦,作用到半导体材料表面的抗蚀膜上。这样一个大规模的平行线可同时印刷很多
模式。另外,这种技术在覆层晶片上的暴露和非暴露区完全是无掩模的,暴露和非暴
露区可通过相应地打开或关闭光线来定义
上一篇:台灯亮度自动调节电路的设计
下一篇:近距离红外目标方位探测研究+文献综述

高频He-Ne激光电源研究及制作

MEH-PPV有机光电材料薄膜的发光研究

MBE和MOCVD生长GaAs光电阴极...

CH3NH3PbI3有机金属卤化物钙...

硅光电池特性研究

柔性LED灯丝设计及光电性能研究

光电位移传感器的微型化设计与研究

医院财务风险因素分析及管理措施【2367字】

10万元能开儿童乐园吗,我...

承德市事业单位档案管理...

国内外图像分割技术研究现状

中国学术生态细节考察《...

神经外科重症监护病房患...

志愿者活动的调查问卷表

AT89C52单片机的超声波测距...

C#学校科研管理系统的设计

公寓空调设计任务书