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}
delay(45); //延时500us
flag = ~DQ;
}
DQ=1;
}
图16 DS18B20初始化时序图
此初始化程序功能为：检测DS18B20是否存在，如存在，将位地址38H置1；如不存在，将位地址38H清零。
3.4.2 DS18B20写时序
单片机写DS18B20的时序如图17所示，当主机总线从高拉至低电平时就产生写时间隙，DS18B20在检测到下降沿后15μS时开始采样总线上的电平，所以15μS之内应将所需写的位送到总线上，DS18B20再15—60μS间对总线采样，每写一位总时间必须在60—120μS之间完成。若低电平写入的位是0，高电平写入的位是1，连续写时位间的间隙应大于1μS。程序如下所示：
void write_byte(uint8 val)
{
uint8 i;
for (i=0; i<8; i++)
{
DQ = 1;
_nop_();
DQ = 0;
nops(); //4us
DQ = val & 0x01; //最低位移出
delay(6); //66us
val >>= 1; //右移一位
}
DQ = 1;
delay(1);
}
图17 单片机写DS18B20时序图
3.4.3 读时序
单片机读DS18B20的时序如图18所示，单片机主动产生一个下降沿的启动信号，并文持低电平大于1μS后释放总线，15μS后DS18B20占主动权，DS18B20会将数据按位放在总线上（低位在先，当读取两个字节的温度值时，低字节在先），这时单片机可读取信号，读取一位的时间应在60μS内完成。当需要读取下一位时再产生下降沿启动信号。
uint8 read_byte(void)
{ uint8 i, value=0;
for (i=0; i<8; i++)
{
DQ=1;
_nop_();
value >>= 1;
DQ = 0;
nops(); //4us
DQ = 1;
nops(); //4us
if (DQ)
value|=0x80;
delay(6); //66us
}
DQ=1;
return(value);
}
图18 单片机读DS18B20时序图
此程序功能为：读取DS18B20 A/D转换后的温度值，转换后的二进制存入36H、35H单元，默认为12位转换，低8位存入36H单元，高8位存入35H单元（35H单元的高5位均为符号位，所以判断符号只需判断低12位数据的最高位即可）。1表示为零度以下，0表示零度以上，实际有效位为11位。
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