Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响
毕业论文关键词：半导体材料；SiC薄膜；发光性
Effect of Co Doping on The Luminescence Properties of SiC Films
Abstract: With the progress of social development of science and technology, semiconductor material on social produced an important influence, has been favored by people with a wide range of. This article uses the magnetron sputtering technology for the preparation of SiC thin film, explores the Co doping content on the properties of SiC thin film glowing effect. By EDS (energy dispersive spectrum scanning analysis diagram), XRD (X-ray diffraction), XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (scanning electron microscope), PL (photoluminescence luminescence spectrum) of technology on the film structure, composition and morphology were analyzed, the results show that 1200 ℃ after annealing, thin film formed 3C-SiC structure, at the same time there is CoSi compounds generated, confirmed the existence of the second phase of compound CoSi, and photoluminescence properties research confirmed that the thin film in the presence of C clusters and C clusters led to the film.
Key Words：Semiconductor materials; SiC thin film; Luminous performance
摘要： 1
引言 1
1. SiC稀磁半导体 2
1.1 SiC的概述 2
1.2 SiC的结构 2
1.3 SiC半导体器件 3
1.4 SiC稀磁半导体研究现状 3
2. SiC薄膜的制备 3
2.1 实验研究思路 4
2.2 SiC薄膜的制备 4
3. Co掺杂SiC薄膜的表征 5
3.1 Co掺杂SiC薄膜的摻杂含量 5
3.2 Co掺杂SiC薄膜的晶体结构 5
3.3 Co掺杂SiC薄膜的表面的形貌及膜的厚度 6
4. Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的缺陷分析 7
4.1 浓度不相同Co掺杂SiC薄膜的光致发光谱 7
4.2 退火温度不相同Co掺杂SiC薄膜的的光致发光谱 8
5. 结论 8
参考文献 10
致谢 11
Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响
引言
目前，Si作为第一代电子材料在半导体工业中仍然占主要地位。第二代电子材料从20世纪60年代开始发展，即III-V族的化合物半导体；由这些半导体不仅创造出高性能微波和数字电路的新市场而且构成了光电子器件的基础[1]。同时，第三代电子材料也迅速发展起来，并且它们将对电子学产生深远影响。
SiC材料作为第三代半导体成为各国争相研究的重点，由于SiC优越的物理特性：带隙相对较宽、电子饱和漂移速率相对较快、热导率足够高、化学稳定性相对比较稳定等特性，使SiC材料成为高温宽禁带半导体器件之一，受到越来越多人们的青睐[2]。因此，探究Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响对第三代半导体的探究有其必要的意义，而且能更好的对SiC稀磁半导体前景作展望。
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