相变金属界面传热强化技术研究+文献综述(2)
3 镓铟锡合金的制备 17
3.1 前言 17
3.2 实验部分 17
3.2.1 三种金属基本性能 17
3.2.2 实验仪器及试剂 17
3.2.3 实验原理 18
3.2.4 制备镓铟锡合金 19
3.3 结果与讨论 21
4 镓铟锡合金成型过程的拓展研究 24
4.1 前言 24
4.2 实验部分 24
4.2.1 实验药品及仪器 24
4.2.2 镓铟锡浆料的制备和印刷 24
5 结论 27
5.1 主要结论 27
5.2 研究展望 27
致 谢 29
参 考 文 献 301 绪论
1.1 电子封装技术的发展
现在,人类已经进入了信息时代。伴随着计算机、移动电话和数码相机等电子产品的普及，电子产业得到迅速发展。同时随着半导体集成电路(IC)由分立元器件，小规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路发展到巨大规模集成电路，电子封装技术也在不断地发展。
电子封装技术的发展可分为三个阶段[1-3],在80年代和90年代分别出现了两次飞跃，如图1.1所示。
图1.1 电子封装技术的发展
第一阶段，20 世纪80 年代以前, 封装的主体技术是针脚插装( PTH) , 其特点是插孔安装到PCB上, 它的主要形式有SIP、DIP、PGA。它们的不足之处是密度、频率难以提高, 难以满足高效自动化生产的要求。
第二阶段，80 年代中期, 表面贴装技术( SMT) 成为最热门的组装技术, 它改变了传统的PTH 插装形式, 通过细微的引线将集成电路贴装到PCB 板上, 大大提高了集成电路的电气特性, 生产的自动化也得到很大的提高。表面贴装封装的主要特点是引线代替针脚, 引线为翼形或丁形, 两边或四边引出。主要形式为小外型封装(small-outline integrated circuit package，SOP)、四边扁平封装(quad flatpack，QFP)。它们的主要优点有: 引线细、短, 间距小, 封装密度提高; 电气性能提高; 体积小, 重量轻; 易于自动化生产。它所存在的问题是: 在封装密度、I/O 数以及电路频率方面还是难以满足ASIC、微处理器发展的需要。
第三阶段，90年代出现了第二次飞跃, 进入了爆炸式的发展时期, 就器件封装而言, 随着封装尺寸的进一步小型化、微型化, 出现了许多新的封装技术和封装形式。这些新技术都采用面阵引脚, 封装密度大为提高。其中最具代表性的有球栅阵列( BGA) , 倒扣芯片( FC) 和多芯片模块( MCMs) 等技术。FC 技术已经成为当今封装领域人们寄托最大期望的热点, 在此基础上, 密度很高的芯片规模封装CSP( chip scale package) 和芯片尺寸封装CSP( chip size package)已成为可能。直接芯片贴装( DCA) 也得到发展, 使得传统的三级封装在二十一世纪最终进入一级封装。
以上封装形式都是仅限于xy平面的二文(Two-Dimensional,简称2D)电子封装。到了2l世纪，随着IC电路的发展、双核CPU、四核CPU以及功能越来越多的电子产品的出现，电子封装又迎来了一个新的发展方向——3D叠层封装。它使得电子产品的密度更高、功能更强、性能更好、 可靠性更高，相对成本却较低。如图1．2所示，为3D封装的两种主要形式：封装内的裸片堆叠，封装内的封装堆叠或称封装堆叠。它将在概念上发生革命性的变化——由电子元件的封装到整个系统的封装。