制备透明导电氧化物薄膜的方法有很多种类，研究开发速度也很快。像脉冲激光沉积法、磁控溅射法、热喷涂法、溶胶-凝胶法、化学气相沉积、反应热蒸发、原子层外延等制备薄膜的方法都用在制备透明导电哑巴氟化物薄膜。对结晶的取向、表面的平整度、光学性、导电性以及气敏性等特性的不同要求而制备具有不同用途的透明导电氧化物薄膜，而薄膜的这些特性是由制备过程中的工艺参数所决定。因此，改良制备工艺的努力方向应该体现在完善薄膜性能、降低反应温度、提高操作精密度和制备成本以及适应集成化的走向，根据薄膜的性能要求和用途的不同而制备的方法也不一样的 。

2  透明导电氧化物薄膜种类

目前透明导电薄膜材料体系包括 SnO2  、ZnO  、   In2O3 及其掺杂体系SnO2 ：Sb（ATO）、SnO2 :F（FTO）、In2O3 : Sn（ITO）、In2O3 : Mo（IMO）、ZnO : Al（ZAO）等[4]。最主要的是锡掺杂的氧化铟（ITO）薄膜和铝掺杂的氧化锌（AZO）薄膜。由无掺杂或者一种掺杂的金属氧化物组成的透明到店氧化物薄膜的性能和应用因其所含元素自身固有的一些性质而受到约束。为了优化透明导电氧化物薄膜的光电特性以及化学性质，为了适应一些特殊的需求，由多种氧化物组成的新型多元化合物TCO薄膜可通过调整组成元素组分来获取最佳性质。近些年来科学家们制备出了ZnO-In2O3 、GaInO3、ZnAl2O4 、 ZnO-SnO2等多元透明导电薄膜材料。

       透明导电薄膜用掺锡氧化铟（tin-depod indium oxide，简称ITO）来代表，研究比较成熟和应用领域比较广泛。在日本和美国等一些发达国家早就开始产业化生产。近些年来ZnO 薄膜的研究也不断地加深，掺铝的ZnO薄膜（简称AZO）被认为最具有发展潜能                                                                                                                                                                                                    的材料之一。TCO薄膜的制备工艺用磁控溅射的方法来最成熟的，为了进一步改善薄膜性质，不断地被引入各种高新技术，制备工艺也在不断地多样化，溶胶-凝胶法近些年来最受欢迎的方法。柔性衬底氧化物半导体透明导电薄膜可望成为硬质衬底材料以新换旧的产品，它具有更广泛的应用价值。文献综述

3  透明导电氧化物薄膜的应用

透明导电氧化物薄膜具有良好的导电性和在可见光范围内比较高的透过率，而且还具有高强的微波衰减性和对红外线的高反射率等特点，在平板显示器、触摸屏、建筑物玻璃、薄膜太阳能电池以及防微波辐射等领域取得了广泛的应用。目前TCO薄膜制作的大量产品已经在市场上被广泛应用，平板显示器和太阳能电池的应用占主要位子 。

3。1 平板显示器的应用

TCO薄膜的主要应用市场是平板显示器，随着平板显示器应用发展的广泛和显示速度的快，对TCO薄膜的要求也不断地提升，在可见光范围内保持足够的透过率的情况下，尽可能地减小TCO薄膜的面电阻；例如，10英寸的VGA（640×480像素）扭曲液晶显示器需要的TCO薄膜的面电阻为5～7 Ω/sq，而SVGA(800×600像素）需面电阻为3～5Ω/sq 。TCO薄膜作为平板显示器的透明电极，蚀刻的适当图形与像素必须一致，对电极图形的要求越精密，显示器的分辨率就越高。因此，TCO薄膜的容易蚀刻的特性也是非常重要的因素之一。同时，为了避免局域场效应和表面散射，，对透明电极的表面平整光滑的要求也很高的。在某些彩色平板显示器中，透明电极需要沉积在不能承受的高温基底材料上，因此对TCO薄膜沉积有要求的，其基底温度需要比较低。In2O3:Sn（ITO)的电阻率比较低，所以，用薄的膜就可以获取比较低的面电阻；而且ITO蚀刻起来比较容易，因此制备光滑平整的精密图形也比较容易；而且，ITO在比较低温度的基底上可以制备质量较好的薄膜；因此ITO成为在平板显示器上使用的TCO薄膜电极的首选材料。来*自~优|尔^论:文+网www.youerw.com +QQ752018766*