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二十世纪八十年代末,法国巴黎大学
物理
系 Fert 教授的科研组中有一位巴西学者 Baibich,他利用分子束外延方法来制备(001)Fe/(001)Cr 超晶格薄膜,衬底为GaAs(001),实验结果表明获得的超晶格薄膜的磁致电阻高达50%[7],被称为巨磁电阻效应(Gaint Magnetoresitance,GMR)。这一结果立即引起了科学家们的重视。1992 年,科学家们在
研究
部分互溶金属颗粒膜时也发现了其中的负磁致电阻效应,它们的负MR值在低温时高达 60%。1993年,
论文网
有人在实验中得到这样的结果:当外加磁场为5T时,同样为钙钛矿的La2/3Bal/3MnO3铁磁性薄膜的磁致电阻值达到了 60%[8]。接下来美国BIM公司在LAO(100)衬底上制备 La-Ca-Mn-O 薄膜的实验中发现,该薄膜在温度为77K下的电阻变化率(△R/RH)竟然达到了 12700%,这被称为庞磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance,CMR) [9]。此后,人们将研究重点放到了巨磁电阻和庞磁电阻
材料
的研究与开发利用上。25363
目前磁电阻材料大部分用在磁盘存储器的读出磁头、
计算机
的随机存储器和磁电阻传感器制造等方面。而且,人们敏锐地观察到这种材料在电磁器件和磁
电子
学等领域存在着广阔的应用前景,纷纷将注意力转移到研究与开发巨磁电阻材料上,这使得磁电阻材料成为了一个新兴的科学前沿领域。
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